处理中...

首页  >  产品百科  >  HXY2102EI

HXY2102EI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装,额定电压为20V,最大连续电流可达2A,专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合,提供出色的系统集成解决方案。
供应商型号: HXY2102EI SOT-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY2102EI

HXY2102EI概述

    HXY2102EI N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY2102EI 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。HXY2102EI 适用于电池保护和开关应用等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): 20V
    - 漏极连续电流 (ID): 2A
    - 最大功率耗散 (PD): 0.3W
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20V
    - 门体漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 0.4V ~ 1.0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 4.5V 时:55mΩ
    - VGS = 2.5V 时:85mΩ
    - 二极管正向电流 (IS): 1.0A
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 300pF
    - 输出电容 (Coss): 120pF
    - 反向传输电容 (Crss): 80pF
    - 开关特性
    - 导通延迟时间 (td(on)): 15ns
    - 导通上升时间 (tr): 85ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 65ns
    - 关断下降时间 (tf): 27ns
    - 热阻抗
    - 结至环境热阻 (θJA): 125°C/W

    产品特点和优势


    HXY2102EI 的主要优势在于其较低的导通电阻和高耐压能力。例如,在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) 仅为 55mΩ,这使得它在电池保护和负载开关等应用中表现出色。此外,该器件能够在低至 2.5V 的栅极电压下工作,这对于需要低功耗的应用来说是一个显著的优势。其快速的开关速度和较低的栅极电荷也使得其在高频应用中表现良好。

    应用案例和使用建议


    HXY2102EI 在电池保护和负载开关应用中具有广泛的应用。以下是一些具体的应用场景及建议:
    - 电池保护电路:在便携式设备中,HXY2102EI 可以有效地控制充电和放电过程,防止过充和过放现象的发生。
    - 负载开关:在需要频繁开关的应用中,HXY2102EI 的低导通电阻和快速开关特性可以有效减少功率损耗并提高效率。
    - 不间断电源系统:在 UPS 中,HXY2102EI 可以作为关键组件来确保在市电失效时的无缝切换。
    使用建议:
    - 确保正确的栅极驱动电压以保持器件的工作稳定性。
    - 使用适当尺寸的散热片以降低热阻,从而提高可靠性。

    兼容性和支持


    HXY2102EI 采用标准的 SOT-323 封装,易于焊接和安装。其与市面上其他同类封装的产品兼容性较好。制造商提供全面的技术支持和服务,包括详细的规格书和应用指南,以便用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在使用过程中发热严重。
    - 解决方案: 检查是否有足够的散热措施,如增加散热片或改善通风条件。

    - 问题: 开关速度较慢。
    - 解决方案: 确认栅极驱动电压是否达到要求,适当优化电路设计以提高开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,HXY2102EI N-Channel MOSFET 在电池保护和负载开关应用中表现出色,具有出色的导通电阻和低功耗特性。其快速的开关速度和广泛的适用范围使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的设计中使用该产品。

HXY2102EI参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 SOT-323

HXY2102EI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY2102EI数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY2102EI HXY2102EI数据手册

HXY2102EI封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.0821
9000+ ¥ 0.0807
15000+ ¥ 0.0787
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 246.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336