处理中...

首页  >  产品百科  >  5N10

5N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: 5N10 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 5N10

5N10概述


    产品简介


    5N10-HXY N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款适用于电池保护和开关应用的电子元器件。它具有多种功能,主要用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。该产品采用了先进的沟槽技术,确保了卓越的RDS(ON),低栅极电荷,且能在最低2.5V的栅极电压下正常运行。这使得它特别适合在多种应用中作为增强型N沟道MOSFET使用。

    技术参数


    - 主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 漏极电流(连续):5A
    - 漏极电流(脉冲):20A
    - 最大功率耗散(PD):1.5W
    - 结温范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient):100°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):100V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 门体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 门阈电压(VGS(th)):1.0V 至 2.0V
    - 导通电阻(RDS(ON)):120mΩ(@VGS=10V);143mΩ(@VGS=4.5V)
    - 前向跨导(gFS):5S
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):650pF
    - 输出电容(Coss):24pF
    - 反向传输电容(Crss):20pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):6ns
    - 开启上升时间(tr):4ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):20ns
    - 关闭下降时间(tf):4ns
    - 总栅极电荷(Qg):20nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):2.1nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):3.3nC

    产品特点和优势


    5N10-HXY 具有以下几个显著的优势:
    1. 高效能:低栅极电荷和高RDS(ON),使其在各种开关应用中表现优异。
    2. 低功耗:优秀的热阻性能,可有效减少发热。
    3. 快速开关:超快的开关速度和低延迟时间,适合高频应用。
    4. 高可靠性:采用先进沟槽技术,保证长期稳定的性能。
    5. 广泛应用:适用于电池保护、负载开关、不间断电源等多种场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    5N10-HXY 在电池保护和不间断电源系统中有广泛的应用。例如,在电池管理系统中,它能够有效地管理电池充放电过程,防止过流和短路现象。在不间断电源系统中,它可以在主电源故障时迅速切换到备用电源,确保系统的持续供电。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其较高的热阻,应确保适当的散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    2. 电压选择:根据实际应用需求选择合适的栅极电压,以获得最佳性能。
    3. 外部电路设计:合理设计外部电路,如栅极电阻和输入电容,以优化开关速度和降低EMI。

    兼容性和支持


    5N10-HXY 支持常见的SOT23-3L封装,适合与大多数电路板兼容。制造商深圳华宣阳电子有限公司提供了全面的技术支持,包括应用指南、测试电路图及售后支持。用户可通过官方网站或联系当地经销商获取更多详细信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查栅极驱动电路,确保正确的驱动信号 |
    | 温度过高 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇 |
    | 性能下降 | 更换损坏的MOSFET,重新校准驱动电路 |

    总结和推荐


    总体而言,5N10-HXY是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电池保护和开关应用。其优越的性能指标和可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。鉴于其多功能性和高可靠性,我们强烈推荐此产品用于需要高效开关和高可靠性的应用场景。同时,我们也建议在具体应用中仔细考虑散热和其他设计细节,以充分发挥其性能优势。

5N10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23-3L

5N10厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

5N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 5N10 5N10数据手册

5N10封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1267
9000+ ¥ 0.1246
15000+ ¥ 0.1214
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 380.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504