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HXY4614S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压40V,最大连续电流7.2A,适用于电池管理、电源转换等双向电压控制场景。集成双通道设计,具备低导通电阻与快速切换能力,确保在正负电压下均能高效稳定工作,是现代电子设备的理想功率开关组件。
供应商型号: HXY4614S SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY4614S

HXY4614S概述

    HXY4614S Dual N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    HXY4614S 是由深圳华宣阳电子有限公司开发的一款双沟道增强型N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品采用先进的沟槽技术,具有出色的低导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷和可低至4.5V的栅极电压操作能力。适用于电池保护和开关电源应用,特别是在负载开关和不间断电源系统中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 规格范围 |

    | VDS (Drain-Source 电压) | ±40V |
    | VGS (Gate-Source 电压) | ±20V |
    | ID (Continuous Drain Current) | 7.2A / -6.5A |
    | IDM (Pulsed Drain Current) | 23A / -22A |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | 16.2mJ / 39mJ |
    | PD (Total Power Dissipation) | 1.67W |
    | TSTG (Storage Temperature Range) | -55 to 150°C |
    | TJ (Operating Junction Temperature Range) | -55 to 150°C |
    | RθJA (Thermal Resistance Junction-Ambient) | 75°C/W |
    | RθJC (Thermal Resistance Junction-Case) | 30°C/W |

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:保证了出色的低导通电阻(RDS(ON)),适合低功耗应用。
    2. 高可靠性:最大耐压±40V,适合多种电压环境下的应用。
    3. 低栅极电压操作:最低可至4.5V的栅极电压,提高了系统的灵活性。
    4. 优越的热性能:低至30°C/W的热阻确保了长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:用于防止过电流和短路现象,延长电池使用寿命。
    - 负载开关:通过精确控制电路中的电流,提供快速响应。
    - 不间断电源(UPS):确保在断电情况下系统能够平稳切换到备用电源。
    使用建议:
    - 确保MOSFET工作在规定的温度范围内,避免热失控。
    - 在设计电路时,考虑适当的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 检查并遵循所有安全指南和注意事项,避免因超负荷工作导致损坏。

    兼容性和支持


    HXY4614S 采用SOP-8封装,易于安装和集成到现有电路板中。该产品可以与其他标准SOP-8封装的元器件兼容。深圳华宣阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保MOSFET不会因过热而损坏?
    - 答:确保MOSFET工作在规定的温度范围内,并考虑使用散热片或散热器以增加散热效果。
    2. 问:是否可以在极端环境下使用此产品?
    - 答:请务必遵循安全指南,在规定的温度范围内使用产品,并采取必要的防护措施。
    3. 问:如何测试产品的性能?
    - 答:可以在实际应用中进行测试,并参考数据手册中的参数,确保产品性能满足需求。

    总结和推荐


    总体而言,HXY4614S是一款性能优异、可靠稳定的MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻和低栅极电压的特点使其成为电池保护和开关电源的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠功率管理解决方案的工程师和设计师。
    以上内容是对HXY4614S MOSFET产品的详细介绍,希望对您有所帮助。

HXY4614S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@10V,5A;54mΩ@10V,6A
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7.2A
通用封装 SOP-8

HXY4614S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY4614S数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY4614S HXY4614S数据手册

HXY4614S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.3776
15000+ ¥ 0.368
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