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2N7002

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压60V,最大连续电流为0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电池保护、负载切换等应用场景,是小型电子设备中实现精细功率控制的理想半导体元件。
供应商型号: 14M-2N7002 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 2N7002

2N7002概述

    # 2N7002-HXY N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型与功能
    2N7002-HXY 是一款采用先进的沟槽技术制造的 N 沟道增强型 MOSFET。这款 MOSFET 具备出色的低导通电阻(RDS(ON))和较低的门极电荷,适用于电池保护和开关应用等。它能够在门极电压低至 4.5V 的条件下正常运行,且具有高静电放电耐受能力。
    主要应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源 (UPS)

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150℃):
    - TA = 25℃: 0.3A
    - TA = 100℃: 0.19A
    - 脉冲漏极电流 (注意 1): 0.8A
    - 最大功耗: 0.35W
    - 工作结温及存储温度范围: -55℃ 至 150℃
    - 热阻 (结到环境): 350°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 60V 至 68V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): ≤1μA
    - 栅体漏电流 (IGSS): ±100nA 至 ±500nA
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 0.7V 至 1.9V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=5V, ID=0.1A: 1.3Ω 至 3Ω
    - VGS=10V, ID=0.1A: 1Ω 至 2Ω
    - 前向转移电导 (gFS): 0.1S
    - 输入电容 (Ciss): 21pF 至 50pF
    - 输出电容 (Coss): 11pF 至 25pF
    - 反向传输电容 (Crss): 4.2pF 至 5pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 10ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 17ns
    - 门极电荷 (Qg): 1.7nC 至 3nC
    - 二极管正向电压 (VSD): ≤1.2V
    - 二极管正向电流 (IS): ≤0.3A

    产品特点和优势


    2N7002-HXY MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - 采用先进的沟槽技术,提供极低的导通电阻和门极电荷。
    - 能够在低至 4.5V 的门极电压下工作,适用范围广。
    - ESD 耐受能力强,适合工业应用。
    - 在高功率应用中表现出色,如电池保护和负载开关。
    - 小巧的 SOT-23 封装便于安装和布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:在便携式电子设备中,2N7002-HXY 作为电池保护电路的核心组件,可以有效防止过充和过放电。
    2. 负载开关:用于实现电源管理和控制,保证系统稳定运行。
    3. 不间断电源 (UPS):确保在主电源失效时,能立即切换到备用电源,保障设备正常工作。
    使用建议
    - 在设计电池保护电路时,需注意其承受高电压的能力和稳定性。
    - 在使用过程中,尽量避免超负荷运行,以防止过热和损坏。
    - 根据具体应用需求选择合适的电路布局和散热方案。

    兼容性和支持


    - 2N7002-HXY 兼容多种常见的封装和布线标准,易于集成到现有的电路板中。
    - 华翔阳电子提供全方位的技术支持和服务,包括样品测试、技术支持和售后咨询。
    - 如需更多信息,请联系华翔阳电子公司官网。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品不能正常工作:检查电路连接是否正确,确保所有参数都在额定范围内。
    2. 过热现象严重:适当增加散热措施,确保工作温度不超出允许范围。
    3. 产品频繁失效:检查是否超过了产品绝对最大额定值,及时调整应用环境和条件。
    解决方案
    1. 重新检查电路连接,确认参数是否符合要求。
    2. 加强散热措施,例如增加散热片或风扇。
    3. 遵循产品规范操作,避免超过最大额定值使用。

    总结和推荐


    产品评估
    2N7002-HXY 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、低门极电荷和高可靠性等特点,特别适用于电池保护和负载开关等应用。其先进的沟槽技术使其能够在低门极电压下高效运行,是一款理想的工业级电子元件。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在电池保护、负载开关和不间断电源等领域使用 2N7002-HXY。对于需要高效、稳定和可靠电源管理的电子设备,2N7002-HXY 将是一个绝佳的选择。

2N7002参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 350mW
Id-连续漏极电流 115mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω
配置 -
栅极电荷 30nC
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
通用封装 SOT-23

2N7002厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

2N7002数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2N7002 2N7002数据手册

2N7002封装设计

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3000+ ¥ 0.0398
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