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60N02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压20V,峰值电流高达60A,专为大电流应用如电源转换、电机驱动设计,具备卓越的开关性能与低损耗特点,是高效率消费级电子设备的理想选择。
供应商型号: 60N02 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 60N02

60N02概述

    # 60N02 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    60N02 是一种先进的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于电池保护和开关应用。它采用了先进的沟槽技术,以实现卓越的低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷(Gate Charge),并且能够在最低4.5V的门极电压下运行。这些特性使得60N02特别适合于电池保护电路、负载开关和不间断电源系统等应用。

    技术参数


    以下是60N02的技术规格和技术参数,简洁明了地列出于下表中:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | - | ±12 | - | ±12 | V |
    | 漏极电流-连续 | ID | TC=25℃ | - | 60 | - | A |
    | 漏极电流-连续 (TC=100℃)| ID (100℃) | TC=100℃ | - | 42 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 210 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 60 | - | W |
    | 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V, IS=10A | - | 1.2 | - | V |
    | 反向恢复时间 | trr | TJ = 25℃, IF = 20A | - | 25 | - | ns |
    工作环境
    - 结温范围:-55℃ 至 150℃
    - 储存温度范围:-55℃ 至 150℃
    - 热阻:RθJC = 2.1 ℃/W

    产品特点和优势


    60N02 N 沟道 MOSFET 的特点包括:
    - 低导通电阻:典型值为 4.5 mΩ(VGS=4.5V,ID=20A)。
    - 高电流处理能力:连续漏极电流高达60A。
    - 低门极电荷:典型值为27 nC(VDS=10V,ID=20A,VGS=10V)。
    - 耐高温性:工作温度范围广,从-55℃至150℃。
    这些特点使60N02 在高可靠性、高效能的应用中具有显著优势,特别是在电池保护和负载开关等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:利用低导通电阻特性,减少能量损耗。
    2. 负载开关:适应不同负载需求,保持系统稳定。
    3. 不间断电源:提供稳定的电源输出,确保系统持续运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保输入电压和电流不超过最大额定值。
    - 注意热管理,避免长时间过载导致的温度升高。
    - 在高频率应用中,考虑门极电容的影响,合理选择驱动电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    60N02 N 沟道 MOSFET 采用 TO-252-2L 封装,易于安装和焊接。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定是否超出了最大功率耗散?
    - 解决方案:定期监测温度,确保其不超过设定的安全范围。参考数据表中的热阻值进行计算。

    2. 问:如何优化门极驱动电路?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻,降低门极电荷的影响。推荐使用低阻值电阻以提高开关速度,但需注意散热。

    总结和推荐


    60N02 N 沟道 MOSFET 在电池保护、负载开关和不间断电源系统等方面表现出色。其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的温度适用范围使其成为许多高要求应用的理想选择。我们强烈推荐60N02作为高性能和高可靠性的电子元器件之一。
    通过以上分析,我们可以看出60N02是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,在众多应用场景中表现优异。因此,对于需要高可靠性和高效能的应用场合,我们推荐使用60N02。

60N02参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-2L

60N02厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

60N02数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 60N02 60N02数据手册

60N02封装设计

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