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K2N7002-7-F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2Ω@10V,100mA 115mA SOT-23
供应商型号: C2891691
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) K2N7002-7-F

K2N7002-7-F概述

    SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET(N-Channel) 技术手册解析

    1. 产品简介


    SOT-23封装的N沟道MOSFET(型号为K2N7002-7-F)是一种高性能的小信号开关晶体管。它的核心功能是作为电压控制型开关,在低电阻状态下实现高效的电流控制。该产品适用于多种应用领域,包括消费电子产品、工业控制系统和汽车电子设备等。

    2. 技术参数


    以下是SOT-23封装N沟道MOSFET的主要技术参数:
    - 最高额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 漏极电流 \( ID \): 115 mA
    - 功耗 \( PD \): 225 mW
    - 结温 \( Tj \): 150 ℃
    - 存储温度 \( T{stg} \): -55 to 150 ℃
    - 电气特性:
    - 击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60 V
    - 门限电压 \( V{th(GS)} \): 1 V 至 2.5 V
    - 门体漏电 \( I{GSS} \): ±100 nA
    - 零门电压漏电流 \( I{DSS} \): 1 μA
    - 导通漏极电流 \( I{D(ON)} \): 500 mA (在 VDS = 7V, VGS = 10V)
    - 导通电阻 \( r{DS(ON)} \): 1.1 Ω 至 3 Ω (在 VGS = 4.5V, ID = 50mA)
    - 转导系数 \( g{fs} \): 80 至 500 ms (在 VDS = 10V, ID = 200mA)
    - 源漏开启电压 \( V{DS(ON)} \): 0.05 V 至 0.375 V (在 VGS = 5V, ID = 50mA)
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): 0.55 V 至 1.2 V (IS = 115mA, VGS = 0V)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 50 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 25 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 5 pF (在 VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 开关时间:
    - 开启时间 \( t{d(on)} \): 20 ns
    - 关闭时间 \( t{d(off)} \): 40 ns (在 VDD = 25V, RL = 50Ω, ID = 500mA, VGEN = 10V, RG = 25Ω)

    3. 产品特点和优势


    SOT-23封装N沟道MOSFET的主要特点包括:
    - 高密度单元设计:低 \( R{DS(ON)} \),适合高密度应用。
    - 坚固可靠:适用于恶劣环境下的应用。
    - 高饱和电流能力:能够承受大电流,适用于功率控制场合。
    - 紧凑封装:SOT-23封装体积小,便于安装在空间受限的应用中。
    这些特点使其在消费电子、工业控制和汽车电子等领域中具有广泛的应用前景。

    4. 应用案例和使用建议


    SOT-23封装N沟道MOSFET可以应用于多种电路中,如电源管理、电机驱动、LED照明控制等。以下是几个典型的应用场景及使用建议:
    - 电源管理:由于其低 \( R{DS(ON)} \),适用于高效降压或升压转换器。
    - 电机驱动:用于控制直流电机的开关,提供精确的电流调节。
    - LED驱动:适用于LED背光或照明系统,提供稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保不超过最大额定值以避免损坏。
    - 注意散热,特别是在高电流环境下使用时。
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电阻和门极电容,以优化开关时间和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    该产品与多数标准SOT-23封装的引脚兼容,可以方便地替换其他品牌的同类产品。制造商提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过热
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通,避免过载运行。
    - 问题:开关时间长
    - 解决方案:检查驱动电阻是否合理,必要时调整驱动电阻以优化开关速度。
    - 问题:击穿电压不稳定
    - 解决方案:检查是否超过了规定的最大额定值,确保正确使用。

    7. 总结和推荐


    综上所述,SOT-23封装N沟道MOSFET凭借其高密度单元设计、坚固可靠的性能和广泛的应用范围,在许多场合下表现出色。尽管初始成本可能稍高,但其优异的性能和可靠性使其成为值得投资的选择。对于需要高效、可靠的小信号开关的应用场景,强烈推荐使用该产品。

K2N7002-7-F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@10V,100mA
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 115mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 SOT-23

K2N7002-7-F厂商介绍

KUU公司是一家领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品分为三大类:智能设备、环保科技和医疗健康。

1. 智能设备:包括智能家居、智能穿戴、智能机器人等,广泛应用于家庭、办公和工业领域,提升生活和工作效率。

2. 环保科技:涵盖空气净化、水处理、废物回收等技术,致力于解决环境污染问题,保护地球家园。

3. 医疗健康:包括智能医疗设备、健康管理软件等,为医疗机构和个人提供高效、便捷的健康服务。

KUU的优势在于:

1. 创新研发:拥有一流的研发团队,持续推出具有竞争力的创新产品。

2. 高效生产:采用先进的生产设备和工艺,确保产品质量和交货速度。

3. 优质服务:提供全方位的售前、售中和售后服务,满足客户需求。

4. 环保理念:注重可持续发展,推广环保产品和技术,为保护环境贡献力量。

K2N7002-7-F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) KUU/深圳永裕泰 K2N7002-7-F K2N7002-7-F数据手册

K2N7002-7-F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.0597
100+ ¥ 0.0466
300+ ¥ 0.0394
3000+ ¥ 0.0345
6000+ ¥ 0.0307
9000+ ¥ 0.0287
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