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4409

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS场效应管
供应商型号: 4409 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 4000
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) 4409

4409概述

    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(4409)

    产品简介


    P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(4409)是采用先进的沟槽技术制造的一种高效能电子元器件。它的基本功能是在电池开关、负载开关及电源管理等应用场景中提供高性能的开关控制能力。4409 MOSFET能够以低至4.5V的栅极电压进行操作,具有较低的导通电阻和高功率处理能力,适用于各种高要求的应用场合。

    技术参数


    以下是4409 MOSFET的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极电流(ID):-15A
    - 瞬态漏极电流(IDM):-60A
    - 雪崩电流(IAR):30A
    - 重复雪崩能量(EAR):135mJ
    - 总功耗(@TA=25°C):3.1W
    - 总功耗(@TA=75°C):2.1W
    - 二极管正向电流(IS):-2.1A
    - 工作结温和存储温度范围(Tj, Tstg):-55到+150°C
    - 热阻(RqJA):40°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-30V
    - 栅零电压漏极电流(IDSS):-1uA
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅阈电压(VGS(th)):-1.0至-3.0V
    - 导通状态漏极电流(IDS(on)):-12A(@VGS=-10V)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):13至15mΩ(@VGS=-4.5V)
    - 前向跨导(gFS):26S(@VDS=-10V, ID=-5A)
    - 输入电容(Ciss):-
    - 输出电容(Coss):410pF
    - 反向转移电容(Crss):280pF(@VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 门电阻(Rg):1至3Ω(@VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 总栅极电荷(Qg):48nC
    - 开启延迟时间(td(on)):15ns
    - 开启上升时间(tr):11ns
    - 关断延迟时间(td(off)):44ns
    - 关断下降时间(tf):21ns
    - 反向恢复时间(trr):33至40ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):23nC
    - 漏源二极管正向电压(VSD):-1V
    - 漏源二极管正向电流(IS):-2.1A

    产品特点和优势


    4409 MOSFET的独特之处在于其采用先进的沟槽技术,提供了优异的RDS(ON),低栅极电荷和能够在低至4.5V的栅极电压下操作的能力。此外,它具备高功率和大电流处理能力,适合在极端环境下工作。该产品为无铅设计,且采用表面贴装封装形式,易于集成到各类电子设备中。

    应用案例和使用建议


    4409 MOSFET广泛应用于电池开关、负载开关和电源管理等领域。例如,在需要高效能开关控制的电池管理系统中,4409 MOSFET可以作为关键的电力转换组件。为了更好地利用4409 MOSFET的功能,建议根据具体应用选择合适的栅极驱动电路,确保不会超过最大额定值,并合理选择散热方式以防止过热。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元器件和设备配合使用。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户了解和使用该产品。对于在使用过程中遇到的问题,用户可以通过制造商的技术支持团队获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题1:过高的栅源电压会损坏MOSFET
    - 解决方法:确保栅源电压不超过20V,并使用合适的栅极电阻来限制栅极电流。
    - 问题2:器件在高温环境中出现过热现象
    - 解决方法:优化散热设计,例如增加散热片或者改进散热路径,确保工作温度不超过150°C。
    - 问题3:栅极电压不稳定导致工作不正常
    - 解决方法:检查并改善栅极驱动电路的设计,确保栅极电压稳定。

    总结和推荐


    4409 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET以其出色的性能和可靠性成为众多应用的理想选择。它的低栅极电荷、高效的RDS(ON)以及宽泛的工作温度范围使其成为电池开关、负载开关和电源管理等领域的首选器件。我们强烈推荐在类似应用中使用4409 MOSFET,尤其是在追求高性能和可靠性的场合。

4409参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,15A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 -
栅极电荷 48nC@ 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8

4409厂商介绍

KUU公司是一家领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品分为三大类:智能设备、环保科技和医疗健康。

1. 智能设备:包括智能家居、智能穿戴、智能机器人等,广泛应用于家庭、办公和工业领域,提升生活和工作效率。

2. 环保科技:涵盖空气净化、水处理、废物回收等技术,致力于解决环境污染问题,保护地球家园。

3. 医疗健康:包括智能医疗设备、健康管理软件等,为医疗机构和个人提供高效、便捷的健康服务。

KUU的优势在于:

1. 创新研发:拥有一流的研发团队,持续推出具有竞争力的创新产品。

2. 高效生产:采用先进的生产设备和工艺,确保产品质量和交货速度。

3. 优质服务:提供全方位的售前、售中和售后服务,满足客户需求。

4. 环保理念:注重可持续发展,推广环保产品和技术,为保护环境贡献力量。

4409数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
KUU/深圳永裕泰 场效应管(MOSFET) KUU/深圳永裕泰 4409 4409数据手册

4409封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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20000+ ¥ 0.767
40000+ ¥ 0.7475
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