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NTF3055-100T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,4.5A,76mΩ@10V
供应商型号: NTF3055-100T SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) NTF3055-100T

NTF3055-100T概述

    NTF3055-100T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    NTF3055-100T 是一款由 JSMICRO Semiconductor 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。该产品采用先进的沟槽技术设计,旨在提供极低的导通电阻和低栅极电荷。NTF3055-100T 广泛应用于多种电力转换和控制电路,例如电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源(UPS)系统等。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 最大连续漏电流(ID):5A
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 瞬态漏电流(IDM):24A
    - 零栅压漏电流(IDSS):≤1μA
    - 开启特性:VGS(th):1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V,ID=5A 时:典型值 26mΩ,最大值 35mΩ
    - VGS=4.5V,ID=5A 时:典型值 32mΩ,最大值 45mΩ
    - 输入电容(Ciss):979pF
    - 输出电容(Coss):120pF
    - 反向转移电容(Crss):100pF
    - 开关特性:
    - 开启延时时间(td(on)):5.2ns
    - 关断延时时间(td(off)):17ns
    - 开启上升时间(tr):3ns
    - 关断下降时间(tf):2.5ns
    - 总栅极电荷(Qg):22nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):3.3nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):5.2nC
    - 结二极管特性:
    - 二极管正向电压(VSD):1.2V
    - 热特性:
    - 热阻(RθJA):62.5°C/W
    - 最大功耗(PD):2W
    - 环境工作范围:
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:通过先进的沟槽工艺,实现超低的导通电阻(RDS(ON))。
    2. 高密度单元设计:单元结构紧凑,实现更小的导通电阻。
    3. 优良的热特性:低热阻设计确保良好的散热性能,适用于高温工作环境。
    4. 高雪崩耐量:可承受高能量雪崩电流,增强可靠性。
    5. 高静电放电能力:特殊工艺技术提高静电放电(ESD)能力,保护器件免受损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关应用:NTF3055-100T 在高频电源开关中表现出色,能够实现高效、快速的转换。
    - 不间断电源(UPS)系统:具备高能量雪崩耐量,能够在突发情况下保护系统稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于具有较高的功耗能力,确保良好的散热措施以避免过热现象。
    - 负载匹配:根据实际负载选择合适的栅极电阻(RG),以确保快速开关响应。
    - 测试条件:测试时,确保 VDS 不超过 60V,并遵循脉冲宽度限制。

    兼容性和支持


    NTF3055-100T 的封装为 SOT-223-3L,这种封装形式与市面上多数 PCB 设计兼容。JSMICRO Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和应用指南,确保用户能够顺利集成到各种电路设计中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:栅极-源极电压超出规定范围。
    - 解决方案:严格遵守数据手册中的电气参数,使用合适的栅极驱动电路。

    - 问题:过热导致性能下降。
    - 解决方案:添加外部散热片或风扇进行强制冷却,或者选择更大尺寸的 PCB 以提高散热效率。
    - 问题:二极管正向电压过高。
    - 解决方案:调整电路设计,减少流经器件的电流。

    总结和推荐


    综上所述,NTF3055-100T 是一款优秀的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备极低的导通电阻、高效的开关性能和优良的热特性。其适用于多种电力转换和控制应用,特别是在高频、大功率场景中表现尤为出色。对于需要高性能、高可靠性的电力电子系统,强烈推荐使用 NTF3055-100T。

NTF3055-100T参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-223

NTF3055-100T厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

NTF3055-100T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 NTF3055-100T NTF3055-100T数据手册

NTF3055-100T封装设计

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