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JSM4N60F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO-220F N-MOS 10A 600V
供应商型号: JSM4N60F TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM4N60F

JSM4N60F概述


    产品简介




    4N60是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高频率的应用场景。它具备快速开关、低门极电荷、低导通电阻和强韧的雪崩特性,适用于电源供应器、PWM电机控制、高效DC-DC转换器及桥式电路等领域。


    技术参数




    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |--------------------------|--------------|-----------|-----------|-----------|-----------|
    | 漏源电压 | VDSS | V 600
    | 门源电压 | VGSS | V | -30 +30 |
    | 漏电流(连续) | ID | A 4.0
    | 漏电流(脉冲) | IDP | A 16
    | 雪崩电流(重复) | IAP | A 4.4
    | 雪崩能量(重复) | EAR | mJ 260
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | mJ 10.6
    | 管芯温度 | TJ | °C 150
    | 存储温度 | TSTG | °C | -55 +150 |
    | 导通阻抗(典型值) | RDS(ON) | Ω 2.5
    | 零门电压漏电流 | IDSS | μA 10
    | 输入电容 | CISS | pF | 520 | 670
    | 输出电容 | COSS | pF | 70 | 90
    | 反向传输电容 | CRSS | pF | 8 | 11
    | 关断延时时间 | tD(ON) | ns | 13 | 35
    | 开启延时时间 | tD(OFF) | ns | 25 | 60
    | 上升时间 | tR | ns | 45 | 100
    | 下降时间 | tF | ns | 35 | 80
    | 总门电荷 | QG | nC 15 | 20 |


    产品特点和优势




    4N60具备多项显著优势:
    - 快速开关能力:快速的开关时间和低门极电荷有助于减少功耗,提高效率。
    - 低导通阻抗:低导通阻抗降低了热损耗,提高了整体效率。
    - 强韧的雪崩特性:在恶劣条件下仍能保持可靠性能。
    - 兼容多种封装形式:TO-220、TO-220F、TO-251、TO-252等多种封装形式,满足不同应用需求。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    - 电源供应器:4N60可用于高压输入的开关电源中,例如用于工业和家电设备的电源模块。
    - PWM电机控制:由于其快速开关能力和低导通阻抗,适合于需要精确控制速度和位置的电机驱动应用。
    - DC-DC转换器:可以提升能源利用效率,特别是在需要高效率转换的应用场合。

    使用建议

    - 在设计电路时,要考虑到散热管理,尤其是在高频开关操作下,确保能够有效散发产生的热量。
    - 尽量避免长时间处于高门源电压条件下,以延长使用寿命。


    兼容性和支持




    4N60具有多种封装选项,包括TO-220、TO-220F、TO-251、TO-252等,这使得它能够轻松适配各种现有的电路板设计。制造商通常会提供详尽的技术支持,包括安装指南、应用笔记和技术文档,以便用户更好地理解和使用该产品。


    常见问题与解决方案




    | 问题 | 解决方案 |
    |-----------------------------|---------------------------|
    | 过高的结温 | 优化散热方案或降低工作频率 |
    | 寿命过短 | 确保正确的使用条件,如不超电压或电流 |
    | 开关速度慢 | 检查并调整门极驱动信号 |


    总结和推荐




    4N60 MOSFET凭借其优秀的电气特性、坚固耐用的特性以及广泛的适用性,在高电压、高效率应用中表现出色。尽管其成本可能略高于普通MOSFET,但其卓越的性能和可靠性使它成为很多高端应用的理想选择。总体而言,4N60是一个值得推荐的产品。

JSM4N60F参数

参数
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-220F

JSM4N60F厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM4N60F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM4N60F JSM4N60F数据手册

JSM4N60F封装设计

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