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UT4957G-S08-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P+P沟道,-30V,-9.5A,21mΩ@-10V
供应商型号: UT4957G-S08-R SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) UT4957G-S08-R

UT4957G-S08-R概述

    UT4957G-S08-R -30V Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

    产品简介


    UT4957G-S08-R 是一款 -30V 双沟道 P 沟道增强型功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement-Mode MOSFET)。它采用沟槽 DMOS 技术制造,适用于高效率快速开关应用。该产品具有低导通电阻和优异的开关性能,非常适合电源管理、负载开关和 LED 应用。

    技术参数


    - 额定电压: VDS = -30V
    - 额定电流: ID = -9A (VGS = -10V)
    - 导通电阻:
    - Rds(on) = 14 mΩ (典型值) @ VGS = -10V
    - Rds(on) = 19 mΩ (典型值) @ VGS = -4.5V
    - 栅极-源极电压: VGS = ±20V
    - 热阻: RθJA = 62.5°C/W
    - 最大脉冲电流: IDM = -36A
    - 存储温度范围: TSTG = -55°C ~ +150°C
    - 工作温度范围: TJ = -55°C ~ +150°C
    - 断态漏电流: IDSS = -1µA (TJ = 25°C), -10µA (TJ = 125°C)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: UT4957G-S08-R 具有非常低的导通电阻,这使得其在导通状态下的功耗非常小,有助于提高整体系统效率。
    - 高速开关性能: 快速的开关速度有助于减少开关损耗,从而提高系统的整体效率。
    - 高可靠性: 该器件能够承受高能量脉冲,适合在恶劣环境下使用。
    - 无铅环保: 设备符合无铅标准,适用于绿色生产环境。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理: 在开关电源和负载开关中使用,可实现高效的电源管理和快速响应。
    - LED 驱动: 用于驱动 LED 灯具,提供稳定的电流输出。
    - 使用建议: 在选择 MOSFET 时要考虑到足够的余量,以避免因过流导致的损坏。同时,注意静电防护措施,防止静电损坏器件。

    兼容性和支持


    - 封装形式: SOP-8L 封装,易于安装和布线。
    - 兼容性: 适用于多种 PCB 布局和设计,具有良好的通用性。
    - 技术支持: 提供详细的焊接方法和温度曲线,确保正确安装和使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 导通电阻过高,导致发热严重。
    - 解决方法: 检查栅极驱动信号是否满足条件,必要时调整驱动电阻。
    - 问题: 高频下开关速度慢。
    - 解决方法: 确保输入电容和门极驱动电流满足器件要求。
    - 问题: 静电损坏。
    - 解决方法: 采取适当的防静电措施,如佩戴防静电手环。

    总结和推荐


    UT4957G-S08-R 是一款高性能的 -30V 双沟道 P 沟道增强型 MOSFET,特别适用于需要高效快速开关的应用场合。其低导通电阻、高速开关能力和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。此外,其无铅环保特性和良好的兼容性使其成为众多应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐使用这款 MOSFET,特别是在需要高效电源管理和快速响应的应用环境中。

UT4957G-S08-R参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOP-8

UT4957G-S08-R厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

UT4957G-S08-R数据手册

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JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 UT4957G-S08-R UT4957G-S08-R数据手册

UT4957G-S08-R封装设计

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