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NTD6416ANLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,100V,25A,55mΩ@10V
供应商型号: NTD6416ANLT4G TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) NTD6416ANLT4G

NTD6416ANLT4G概述

    NTD6416ANLT4G N-Channel 100V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD6416ANLT4G 是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。这款电子元器件的主要功能是作为开关,在各种电路设计中提供高效且可靠的性能。其主要应用领域包括但不限于电源管理、电机控制、汽车电子系统、通信设备以及消费电子产品。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏极电流 \(ID\): 25A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 8mJ
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 84A
    - 持续二极管前向电流 \(IS\): 25A
    - 二极管脉冲电流 \(I{SM}\): 25A
    - 功率耗散 \(PD\): 27W
    - 结温及存储温度范围 \(T{J, T{STG}}\): -55°C 至 +150°C
    热特性
    - 结至外壳热阻 \(R{\theta JC}\): 4.63°C/W
    - 结至环境热阻 \(R{\theta JA}\): 62°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 \(BVDSS\): 100V
    - 零栅源电压漏极电流 \(IDSS\): 1 μA
    - 栅源漏电流 \(IGSS\): ±100nA
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1 - 2.5V
    - 导通电阻 \(R{DS(ON)}\):
    - \(V{GS}=10V, ID=10A\) 时: 20mΩ (典型值)
    - \(V{GS}=4.5V, ID=10A\) 时: 25mΩ (典型值)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 680pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 371pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 25pF
    - 开启延迟时间 \(td(on)\): 16.8ns
    - 上升时间 \(tr\): 3.2ns
    - 关闭延迟时间 \(td(off)\): 25.4ns
    - 下降时间 \(tf\): 2ns
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 11nC
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 1.8nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 2.4nC

    产品特点和优势


    NTD6416ANLT4G 的显著特点是采用了先进的高单元密度沟槽技术,使其具备极低的导通电阻 \(R{DS(ON)}\)。这使得它在许多应用中表现出色,尤其是在需要高效功率转换的场合。此外,其低栅极电荷的特点也有助于降低开关损耗,提高整体效率。同时,该器件还具有优良的封装设计,有利于热量的散发,从而确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NTD6416ANLT4G 可广泛应用于多种场景,如电源管理、电机驱动、汽车电子等。例如,在一个典型的应用中,它被用于直流-直流转换器中以提高效率。对于此类应用,建议用户仔细选择合适的栅极驱动器,并注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。在电路设计过程中,还需要考虑负载变化对器件的影响,以便于优化电路参数。

    兼容性和支持


    根据技术手册,NTD6416ANLT4G 与市面上大多数通用的电子元器件兼容。为了获得最佳的使用效果,用户应遵循制造商的指导文档,合理使用该器件。JS Micro 为该器件提供了详尽的技术支持,包括数据手册、应用指南以及故障排查建议。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高频率应用中出现过热现象。
    - 解决方案:检查并优化散热设计,增加外部散热片或散热器。
    2. 问题:导通电阻不稳定。
    - 解决方案:确认电路中的温度条件符合规定要求,并适当调整电路中的电容值。

    总结和推荐


    总体而言,NTD6416ANLT4G N-Channel 100V (D-S) MOSFET 是一款功能强大且高效的电子元器件,特别适用于需要高效功率转换的应用场合。其卓越的导通特性和良好的热管理能力使它在市场上具备较强的竞争力。鉴于其出色的性能表现,我们强烈推荐在合适的应用场景中使用此款产品。

NTD6416ANLT4G参数

参数
配置 -
栅极电荷 25.4nC
最大功率耗散 27W
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ
通用封装 DPAK,TO-252
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTD6416ANLT4G厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

NTD6416ANLT4G数据手册

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NTD6416ANLT4G封装设计

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