处理中...

首页  >  产品百科  >  BSP106

BSP106

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,4.5A,76mΩ@10V
供应商型号: BSP106 SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) BSP106

BSP106概述

    # BSP106 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    BSP106 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件采用了先进的沟槽技术和设计,以提供极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。BSP106 广泛应用于各种电力转换和控制场景中。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(ON) 低于 35mΩ(典型值为 26mΩ),即使在较低的栅极电压下也能保持低电阻。
    - 高密度单元设计:实现超低导通电阻。
    - 良好的稳定性与均匀性:具有高的雪崩电压和电流特性。
    - 优良的热阻抗:适合于高功率应用。
    - 高 ESD 能力:采用特殊的工艺技术确保较高的静电放电能力。
    应用领域
    - 电源开关应用
    - 硬开关及高频电路
    - 不间断电源系统

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 VDS: 60V
    - 栅源电压 VGS: ±20V
    - 连续漏极电流 ID: 5A(TC=100℃时 3.5A)
    - 脉冲漏极电流 IDM: 24A
    - 最大功耗 PD: 2W
    - 工作结温和存储温度范围 TJ,TSTG: -55°C 至 150°C
    - 结点到环境热阻抗 RθJA: 62.5°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 BVDSS: 60V
    - 零栅源电压漏极电流 IDSS: 1μA
    - 栅体泄漏电流 IGSS: ±100nA
    - 栅阈电压 VGS(th): 1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻 RDS(ON):
    - VGS=10V, ID=5A 时: 26mΩ (典型值)
    - VGS=4.5V, ID=5A 时: 32mΩ (典型值)
    - 输入电容 Ciss: 979pF
    - 输出电容 Coss: 120pF
    - 反向转移电容 Crss: 100pF
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 td(on): 5.2ns (典型值)
    - 开启上升时间 tr: 3ns (典型值)
    - 关闭延时时间 td(off): 17ns (典型值)
    - 关闭下降时间 tf: 2.5ns (典型值)
    - 总栅电荷 Qg: 22nC
    - 正向二极管导通电压 VSD: 1.2V

    产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻:提供优异的能效。
    - 高密度单元设计:实现更紧凑的封装。
    - 卓越的热管理:通过优良的热阻抗设计减少热量积累。
    - 高可靠性:具有高雪崩能力和高 ESD 能力,适用于严苛的应用环境。
    优势
    - 应用广泛:适用于多种电力转换和控制场合。
    - 高效节能:低 RDS(ON) 和低栅极电荷有助于提高整体系统的能效。
    - 耐久性强:高雪崩特性和高 ESD 能力延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSP106 在开关电源、逆变器和电池管理系统等场合中广泛应用。例如,在不间断电源系统中,它可以用于保护负载免受电网波动的影响。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功耗,需要考虑有效的散热措施,如散热片或热管。
    - 栅极驱动:建议使用适当的栅极电阻(RG)来优化开关速度和减少损耗。
    - 布局优化:PCB 设计时应尽量缩短栅极和漏极走线长度,以减少寄生电感和电容。

    兼容性和支持


    兼容性
    BSP106 与市面上常见的 SOT-223-3L 封装兼容,便于替换现有的同类型器件。它也可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    支持
    制造商 JSMICRO Semiconductor 提供详尽的技术支持和售后维护服务,以确保客户能够顺利进行产品测试和应用开发。

    常见问题与解决方案


    问题与解决办法
    - 问题1: 开启延时时间较长。
    - 解决办法: 检查栅极驱动电压是否符合要求,尝试降低栅极电阻(RG)。
    - 问题2: 功耗过高导致过热。
    - 解决办法: 优化散热设计,增加散热片或使用外部风扇强制冷却。
    - 问题3: 导通电阻偏高。
    - 解决办法: 确保工作条件(如 VGS)在推荐范围内,检查焊接质量和 PCB 设计。

    总结和推荐


    综合评估
    BSP106 是一款高性价比的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,以其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性成为电力转换和控制领域的理想选择。它的应用广泛,适合多种电力系统和电子设备。
    推荐
    鉴于其优异的性能和适用范围,我们强烈推荐在需要高效能、高可靠性的电力应用中使用 BSP106。无论是电源管理还是电池管理系统,它都能提供出色的解决方案。

BSP106参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-223

BSP106厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

BSP106数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 BSP106 BSP106数据手册

BSP106封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.732
200+ ¥ 0.7198
300+ ¥ 0.7015
库存: 300000
起订量: 100 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 73.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336