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JSM10N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO-252 10A 150V NPN场效应
供应商型号: JSM10N15 TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSM10N15

JSM10N15概述


    产品简介


    JSM10N15 N沟道TO-252塑封封装场效应管
    JSM10N15是一种专为低压电路设计的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-252塑料封装。这款产品适用于多种低压电路,包括汽车电路、DC/DC转换器、便携式设备的电源管理,以及电视和显示器的电源板卡。其紧凑的封装和高效能特性使其成为许多高要求应用的理想选择。

    技术参数


    以下是JSM10N15的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 155 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | ID 10 A |
    | 冲击漏极电流 | IDM 25 | A |
    | 击穿电流 | IAS | 10.8 A |
    | 击穿能量 | EAS 7 mJ |
    | 功率耗散 | PD 54 | W |
    | 环境温度范围 | TJ, TSTG | -55 150 | °C |
    | 最大结到环境热阻 | RθJA | 44 110 | °C/W |
    | 最大结到外壳热阻(稳态) | RθJC | 2.8 °C/W |
    | 输入电容 | CISS 660 pF |
    | 输出电容 | COSS 74 pF |
    | 反向转移电容 | CRSS 17 pF |
    | 开关时间延迟 | tD(on) | 60 ns |
    | 开通上升时间 | tr 250 ns |
    | 关断延迟时间 | tD(off) 135 ns |
    | 关断下降时间 | tf 135 ns |
    | 二极管反向恢复时间 | trr 200 ns |

    产品特点和优势


    JSM10N15具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):确保高效运行,尤其在高电流条件下表现优异。
    - 低栅电荷:降低驱动功耗,提高开关效率。
    - 低输入电容和输出电容:减少寄生效应,提高开关速度。
    - 无卤素材料:环保设计,符合行业标准。
    - 快速开关:适用于高频应用,如汽车电子和电源管理。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 汽车电路:用于电池管理系统、电机控制和照明系统。
    2. DC/DC转换器:提供高效的电源转换。
    3. 便携式设备:如智能手机和平板电脑,以实现高效充电和电源管理。
    4. 电视和显示器电源板卡:优化电源转换效率。
    使用建议
    - 散热管理:在高电流和高温环境下使用时,需注意散热,确保良好的散热设计。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压和电流,以避免开关损耗。
    - 保护措施:添加适当的保护电路(如瞬态电压抑制器)以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    JSM10N15与同类TO-252封装的场效应管具有良好的互换性,可以轻松替换现有设计中的同类产品。制造商JSMICRO Semiconductor提供了详细的技术支持文档和应用指南,用户可通过其官网获取相关信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何测量JSM10N15的导通电阻?
    - A: 使用数字万用表测量漏源电压(VDS)和漏极电流(ID),根据公式RDS(on) = VDS / ID计算得到。

    2. Q: 如何确保开关过程中不出现过热?
    - A: 确保使用适当的散热器和良好的PCB布局,避免高功率耗散导致过热。
    3. Q: 如何避免栅极噪声干扰?
    - A: 使用合适的栅极电阻(如50Ω),并确保信号线靠近栅极以减少干扰。

    总结和推荐


    JSM10N15 N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、高开关速度和低栅电荷等特性,在低压电路应用中表现出色。它的无卤素设计和广泛的适用范围使其成为市场上具有竞争力的产品。总体而言,我们强烈推荐使用JSM10N15,特别是对于需要高效电源管理和快速开关的应用场合。

JSM10N15参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 DPAK,TO-252

JSM10N15厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM10N15数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JSM10N15封装设计

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