处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,60V,35A,25mΩ@10V
供应商型号: NTD18N06LT4G TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G概述

    电子元器件产品技术手册解析

    1. 产品简介


    本产品是一款型号为NTD18N06LT4G的60V N-通道MOSFET。采用先进的沟槽技术设计,具有低栅极电荷和卓越的导通电阻(RDS(on))。该产品广泛应用于多种领域,如电源管理、电机控制、照明系统等。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 连续漏极电流(TC=25℃):30A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):100A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):24mJ
    - 结温范围(TJ, TSTG):-55℃ 至 +150℃
    - 热阻(RƟJC):3.1℃/W
    - 热阻(RƟJA):62℃/W
    - 断态漏电流(IDSS):在VGS=0V, VDS=650V时,<1μA;在VGS=0V, VDS=480V, TJ=125℃时,<10μA
    - 栅极-源极漏电流(IGSS):VGS=±30V时,<±100nA
    - 阈值电压(VGS(th)):1.2V至2.5V
    - 导通电阻(RDS(ON)):在VGS=10V, ID=15A时,<30mΩ;在VGS=4.5V, ID=10A时,<40mΩ
    - 输入电容(Ciss):在VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz时,1150pF至1700pF
    - 输出电容(Coss):60pF至90pF
    - 反向转移电容(Crss):43pF至65pF
    - 总栅极电荷(Qg):16nC至20nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):2nC至4nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):3.5nC至7nC
    - 雪崩击穿电压(BVDSS):60V

    3. 产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:有助于降低驱动电路的功率消耗。
    2. 先进的沟槽技术:提供卓越的导通电阻(RDS(on)),确保高效率。
    3. 绿能设备:环保且节能。
    4. 优秀的封装设计:提高散热性能,延长使用寿命。
    5. 广泛的工作温度范围:适用于极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于开关电源、逆变器、马达驱动等。
    - 使用建议:在设计电路时,需考虑最大漏极电流及散热需求。确保散热片与MOSFET之间接触良好,以提高散热效率。此外,合理配置栅极电阻,减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTD18N06LT4G可与其他主流厂商的同类型MOSFET互换,具有良好的兼容性。
    - 支持与维护:JS MicroSemiconductor提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南和技术文档。此外,用户还可以通过官方技术支持渠道获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流条件下,MOSFET过热。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,如散热片、风扇或水冷系统。同时,降低工作频率,减少发热。

    - 问题2:栅极电荷过高导致驱动电路失效。
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,减小栅极电荷的影响。建议在电路设计阶段进行详细的仿真测试,确保最优的参数配置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTD18N06LT4G以其卓越的性能、出色的封装设计和广泛的适用性,成为一种优秀的MOSFET产品。无论是在电源管理还是电机控制领域,它都能表现出色。强烈推荐在相关项目中使用该产品,以获得最佳的性能表现。

NTD18N06LT4G参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DPAK,TO-252

NTD18N06LT4G厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

NTD18N06LT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G数据手册

NTD18N06LT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 1.0992
200+ ¥ 1.0809
300+ ¥ 1.0534
库存: 300000
起订量: 100 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 109.92
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336