处理中...

首页  >  产品百科  >  FQP6N80C

FQP6N80C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,850V,6A,2200mΩ@10V
供应商型号: FQP6N80C TO-220-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) FQP6N80C

FQP6N80C概述

    FQP6N80C 800V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP6N80C 是一款高性能的800V N-沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET适用于多种高电压、大电流的应用场景,如电源转换、电机驱动及其它电力电子设备。它以其低输入电容和出色的开关特性著称,特别适合于高频工作环境。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏-源电压 800 | - | - | V |
    | ID | 漏极电流 | Ta=25℃ | - | 6 | - | A |
    Ta=100℃ | - | 3.8 | - | A |
    | VGS(TH) | 门限电压 - | ±30 | - | V |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 - | 590 | - | mJ |
    | IAR | 雪崩电流 - | 5 | - | A |
    | PD | 功耗 | Ta=25℃ | - | 47 | - | W |
    | Tj | 结温 - | 150 | - | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 -55 | - | +150 | ℃ |
    | TL | 焊接最高引脚温度 - | 300 | - | ℃ |
    热阻特性:
    - RθJC (结到外壳):2.66 ℃/W
    - RθJA (结到环境):62.5 ℃/W

    产品特点和优势


    - 低内在电容:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的开关特性:适合高频操作。
    - 扩展的安全工作区:确保长时间稳定运行。
    - 无可比拟的栅极电荷:Qg=31nC (典型值)。
    - 最大漏-源击穿电压和漏极电流:BVDSS=800V,ID=6A。
    - 静态漏-源电阻:RDS(on)≤2.5Ω (最大值),@VG=10V。
    - 100%雪崩测试:确保耐用性。

    应用案例和使用建议


    FQP6N80C 常用于开关电源、逆变器、电动机驱动器等领域。由于其卓越的开关性能和低损耗,非常适合高频工作环境。在实际应用中,建议注意散热设计,以避免过热情况的发生。特别是在需要高可靠性、高频率工作的场合下,该产品是一个理想的选择。

    兼容性和支持


    FQP6N80C 使用 TO-220F 封装,易于安装和更换。具体封装尺寸见附录。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,以帮助用户解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间高负载工作导致过热。
    解决方法:改善散热设计,增加散热片或风扇。

    2. 问题:开关时噪声过大。
    解决方法:检查电路布局,确保适当的去耦电容和接地。

    总结和推荐


    FQP6N80C 作为一款高性能的功率 MOSFET,在高电压、大电流应用场景中表现出色。它的低栅极电荷和优异的开关特性使其成为许多电力电子设备的理想选择。对于那些寻求高可靠性和高效率的系统来说,FQP6N80C 是一个非常值得推荐的产品。

FQP6N80C参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 120pF@6V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.5A
栅极电荷 30nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220-3

FQP6N80C厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

FQP6N80C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 FQP6N80C FQP6N80C数据手册

FQP6N80C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 2.46
200+ ¥ 2.419
300+ ¥ 2.3575
库存: 300000
起订量: 100 增量: 50
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 246
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336