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FDD6670A-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道,30V,80A,5mΩ@10V
供应商型号: FDD6670A-NL TO-252(DPAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) FDD6670A-NL

FDD6670A-NL概述

    FDD6670A-NL N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD6670A-NL 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,以提供出色的低导通电阻(RDS(on))与低栅极电荷。这款产品因其卓越的性能和广泛的应用领域而备受关注,适用于电源管理、电机驱动和多种工业控制系统等领域。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 持续漏电流 (ID):
    - TC=25℃ 时: 80 A
    - TC=100℃ 时: 46 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 256 mJ
    - 功率耗散 (PD), TC=25℃ 时: 46 W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55℃ 到 +150℃
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 2.72 ℃/W
    - 离态特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 30 V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): ≤1 μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 通态特性
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 2.5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10V, ID=30A 时: ≤5.5 mΩ
    - VGS=4.5V, ID=20A 时: ≤12 mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 1614 pF
    - 输出电容 (Coss): 245 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 215 pF
    - 开关特性
    - 开启延时时间 (td(on)): ≤7.5 ns
    - 上升时间 (tr): ≤14.5 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): ≤35.2 ns
    - 下降时间 (tf): ≤9.6 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 33.7 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 8.5 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 7.5 nC
    - 二极管特性
    - 源极-漏极二极管正向电压 (VSD): ≤1.2 V
    - 连续源电流 (Is): ≤80 A
    - 脉冲源电流 (lsm): ≤280 A

    产品特点和优势


    FDD6670A-NL 的主要优势在于其卓越的低导通电阻(RDS(on)),即使在较高栅极电压下也表现出色。这使得它特别适合需要高效率和低损耗的应用场景。此外,低栅极电荷也有助于提高开关速度,从而减少损耗并提高系统效率。其先进高密度沟槽技术提供了优良的散热性能,使该产品能够在各种严苛环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理: FDD6670A-NL 可用于电池充电器、适配器和其他电源管理设备,确保高效的能源转换。
    - 电机驱动: 在电动工具和机器人等领域,这款 MOSFET 有助于提升电机的驱动性能和可靠性。
    - 工业控制系统: 适用于需要高性能开关的工业自动化设备,如 PLC 和变频器。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,要注意散热措施,以确保产品能正常运行。
    - 根据实际需求选择合适的栅极电压,以实现最佳性能。
    - 为提高系统效率,尽量减少开关损耗,可以通过优化电路设计来达到这一目的。

    兼容性和支持


    FDD6670A-NL 与大多数标准电路板兼容,可以方便地集成到现有的电子系统中。厂商提供详细的技术支持和全面的文档资料,以帮助用户更好地理解和使用这款产品。如有任何疑问或技术支持需求,用户可通过厂商提供的联系方式获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下出现过热现象。
    - 解决方案: 增加散热片或散热器,以提高热交换效率。

    2. 问题: 开关速度不够快。
    - 解决方案: 减少栅极电阻,以加快开关速度。
    3. 问题: 设备在启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查输入电压和负载情况,确保符合产品规格要求。

    总结和推荐


    FDD6670A-NL N-Channel MOSFET 在性能、可靠性和适用性方面表现出色,是一款值得推荐的产品。其低导通电阻和高效率使其成为电源管理和电机驱动领域的理想选择。对于需要高性能开关的应用场景,这款产品将是一个非常不错的选择。

FDD6670A-NL参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 80A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DPAK,TO-252

FDD6670A-NL厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

FDD6670A-NL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 场效应管(MOSFET) JSMICRO/深圳杰盛微 FDD6670A-NL FDD6670A-NL数据手册

FDD6670A-NL封装设计

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