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BLL6H0514L-130,112

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: AMPLEON
产品描述: 13V 2.25V 1个N沟道 100V 275mΩ@ 6.25V 18A CDFM-2 贴片安装
供应商型号: CY-BLL6H0514L-130,112
供应商: Avnet
标准整包数: 1
AMPLEON 场效应管(MOSFET) BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112概述


    产品简介


    BLL6H0514L(S)-130 LDMOS驱动器晶体管 是一款专为脉冲应用设计的130瓦LDMOS晶体管,频率范围在0.5GHz到1.4GHz之间。这类晶体管在射频(RF)放大器中表现出色,广泛应用于各种脉冲应用场合。

    技术参数


    极限值
    - VDS:漏源电压 - 100 V
    - VGS:栅源电压 -0.5 +13 V
    - ID:漏电流 - 18 A
    - Tstg:存储温度 -65 +150°C
    - Tj:结温 - 200°C
    热特性
    - Zth(j-c):瞬态热阻从结到外壳
    - Tcase = 85°C;PL = 130W;tp = 100μs;δ = 10% → 0.17K/W
    - Tcase = 85°C;PL = 130W;tp = 200μs;δ = 10% → 0.22K/W
    直流特性
    - V(BR)DSS:漏源击穿电压 VGS = 0V;ID = 630mA → 100V
    - VGS(th):栅源阈值电压 VDS = 10V;ID = 135mA → 1.3~2.25V
    - IDSS:漏漏电流 VGS = 0V;VDS = 50V → -1.4μA
    - IDSX:漏切断电流 VGS = VGS(th) + 3.75V;VDS = 10V → 15.8~18A
    - IGSS:栅漏电流 VGS = 11V;VDS = 0V → -140nA
    - gfs:前向跨导 VDS = 10V;ID = 135mA → 806~1578mS
    - RDS(on):漏源通态电阻 VGS = VGS(th) + 6.25V;ID = 135mA → -200~275mΩ
    射频特性
    - PL:输出功率 - 130W
    - Gp:功率增益 PL = 130W → 15~17dB
    - RLin:输入回波损耗 PL = 130W → 7~10dB
    - ηD:漏效率 PL = 130W → 45~50%
    - Pdroop(pulse):脉冲下垂功率 PL = 130W → -0.3dB
    - tr:上升时间 PL = 130W → -50ns
    - tf:下降时间 PL = 130W → -50ns

    产品特点和优势


    1. 易于功率控制:确保操作简便。
    2. 集成静电放电保护:提供额外的安全保障。
    3. 高灵活性:适用于多种脉冲格式。
    4. 出色的坚固性:能够承受高压和高温。
    5. 高效率:提高系统性能。
    6. 优秀的热稳定性:适合长期稳定运行。
    7. 宽频带操作:0.5GHz到1.4GHz范围内均能良好工作。
    8. 符合RoHS指令:环保材料。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用场景:放大器中的脉冲应用。
    - 使用建议:
    - 在0.5GHz到1.4GHz频率范围内工作时,应根据具体应用场景选择合适的参数设置。
    - 使用过程中应注意热管理,确保散热良好以保持性能稳定。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与各种标准的射频设备兼容。
    - 支持:提供技术支持和服务,包括详细的使用说明和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理静电放电?
    - 解决方法:按照ANSI/ESD S20.20、IEC/ST 61340-5或JESD625-A标准操作。

    - 问题2:功率增益波动过大怎么办?
    - 解决方法:检查电源和负载条件,调整相关电路参数。

    总结和推荐


    BLL6H0514L(S)-130 LDMOS驱动器晶体管 在射频应用中表现出色,具备多种优势,尤其适用于高频脉冲信号处理。它易于安装、操作简便且可靠性高,是电子工程师在进行射频设计时的可靠选择。强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的射频放大器设计中。

BLL6H0514L-130,112参数

参数
Vgs-栅源极电压 13V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 275mΩ@ 6.25V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
20.45mm(Max)
9.91mm(Max)
4.65mm(Max)
通用封装 CDFM-2
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 托盘

BLL6H0514L-130,112厂商介绍

AMPLEON是一家全球领先的射频功率放大器(RF PA)制造商,专注于设计和生产高性能的射频功率放大器。公司的产品主要分为以下几类:

1. 基站功率放大器:用于移动通信基站,提供高功率输出,以支持远距离通信。

2. 无线局域网(WLAN)功率放大器:用于无线路由器和接入点,提供稳定的无线信号覆盖。

3. **通信功率放大器:用于**通信系统,确保信号在长距离传输中的稳定性和强度。

4. **和电子战功率放大器:用于*事和安全领域,提供高功率信号以支持**探测和电子战任务。

5. 工业、科学和医疗(ISM)功率放大器:用于各种工业、科研和医疗设备,如无线能量传输和医疗成像。

AMPLEON的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 性能卓越:产品以高效率、高功率和高可靠性著称,满足严苛的应用需求。
- 定制服务:提供定制化的解决方案,以满足客户的特定需求。
- 全球网络:拥有遍布全球的销售和服务网络,确保快速响应客户需求。

AMPLEON的产品广泛应用于移动通信、无线局域网、**通信、**和电子战以及工业、科学和医疗领域,以其卓越的性能和可靠性,为全球客户提供高质量的射频功率放大器解决方案。

BLL6H0514L-130,112数据手册

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AMPLEON 场效应管(MOSFET) AMPLEON BLL6H0514L-130,112 BLL6H0514L-130,112数据手册

BLL6H0514L-130,112封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 208.8922 ¥ 1692.1991
25+ $ 200.2603 ¥ 1663.0233
50+ $ 191.6283 ¥ 1633.8474
100+ $ 188.1756 ¥ 1619.2595
300+ $ 186.4492 ¥ 1604.6715
500+ $ 184.7228 ¥ 1590.0836
1000+ $ 179.5437 ¥ 1517.1439
5000+ $ 179.5437 ¥ 1517.1439
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