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NTZD3155CT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TECH PUBLIC/台舟电子
产品描述: 8V 1.1V 1个N沟道+1个P沟道 20V 290pF@25V 700mA 170pF SOT-563
供应商型号: NTZD3155CT1G SOT563
供应商: 云汉优选
标准整包数: 4000
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 290pF@25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 170pF
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道+1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 700mA
通用封装 SOT-563

NTZD3155CT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TECH PUBLIC/台舟电子 NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G数据手册

NTZD3155CT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ ¥ 0.3882
12000+ ¥ 0.3766
库存: 40000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:4000
合计: ¥ 1552.8
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