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FDN306P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TECH PUBLIC/台舟电子
产品描述:
供应商型号: FDN306P SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) FDN306P

FDN306P概述

    FDN306P P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDN306P 是一款单片P沟道PowerTrench MOSFET,专为负载/功率开关、接口开关和逻辑电平转换而设计。它具有极低的导通电阻和较高的电压耐受能力,使其适用于多种电子设备中。其典型的应用领域包括电源管理、电机控制和通信设备。

    2. 技术参数


    FDN306P 的主要技术参数如下表所示:
    | 参数符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源击穿电压 | - | - | -12 | - | V |
    | VGSS | 栅源电压 | - | ±8 | - | V |
    | ID | 连续漏极电流 | TA = 25℃ | - | -2.6 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | - | - | -10 | - | A |
    | PD | 功耗 | TA = 25℃ | - | 0.45 | - | W |
    | RθJA | 结到环境热阻 | - | 150 | - | ℃/W |
    | TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | - | -55 | - | 150 | ℃ |
    其他关键参数还包括:
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):最大 -1 μA
    - 输入电容 (Ciss):- pF
    - 输出电容 (Coss):- pF
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大 40 mΩ
    - 开关延迟时间 (td(on)):最大 11 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):最大 38 ns

    3. 产品特点和优势


    FDN306P 主要特点和优势包括:
    - 高电压耐受:最高可达 -12V,适用于高压应用环境。
    - 低导通电阻:最大 40 mΩ,能够降低功率损耗,提高系统效率。
    - 快速开关特性:开关延迟时间和关断延迟时间短,适合高频应用。
    - 低栅漏电流:最小 -100 nA,有效减少栅极泄漏,确保可靠性。
    这些特性使得 FDN306P 在负载/功率开关、接口开关和逻辑电平转换等应用中表现出色,具备很高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    FDN306P 可广泛应用于以下场景:
    - 电源管理:用于负载/功率开关电路,提升能效和稳定性。
    - 电机控制:适用于各种电机驱动电路,提供精准控制。
    - 通信设备:作为接口开关和逻辑电平转换器,增强信号完整性。
    使用建议:
    - 确保 VDSS 不超过 -12V,以避免击穿损坏。
    - 在高频开关应用中,尽量减小栅极引线长度,减少寄生电感。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热,保持 Tj 温度在允许范围内。

    5. 兼容性和支持


    FDN306P 采用 SOT-23 封装,与市场上常见的 SOT-23 封装器件高度兼容,便于集成和替换。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可随时获取必要的技术支持和维护信息。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册提供的信息,整理了几个常见的用户问题及其解决方案:
    - 问题:开机后无响应,无法正常工作。
    解决方案:检查连接线路是否正确,确保 VDSS 和 VGS 正确设置。

    - 问题:发热严重,影响性能。
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇,确保良好的散热环境。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDN306P 是一款高性能、高可靠性的单片 P 沟道 PowerTrench MOSFET,适用于多种应用场合。其独特的特点和优势使其在负载/功率开关、接口开关和逻辑电平转换等领域具有显著的市场竞争力。因此,强烈推荐在相关项目中使用 FDN306P。
    通过以上分析,可以清晰地了解 FDN306P 的各项特性和应用场景,有助于用户在实际项目中选择合适的元器件并充分发挥其性能优势。

FDN306P参数

参数
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23

FDN306P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TECH PUBLIC/台舟电子 场效应管(MOSFET) TECH PUBLIC/台舟电子 FDN306P FDN306P数据手册

FDN306P封装设计

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