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FDP7030L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 68W(Tc) 20V 3V@ 250µA 33nC@ 5 V 1个N沟道 30V 7mΩ@ 40A,10V 2.44nF@15V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: LDL-FDP7030L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP7030L

FDP7030L概述

    FDP7030L/FDB7030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

    1. 产品简介


    FDP7030L/FDB7030L 是由Fairchild Semiconductor生产的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(FET)。这种晶体管主要用于低电压应用,如直流/直流转换器和高效率开关电路。其主要功能包括快速开关、低导通电阻和对瞬态的抵抗力,使其在这些应用中表现出色。此外,它具有坚固的内部源极-漏极二极管,可以消除对外部瞬态抑制齐纳二极管的需求。

    2. 技术参数


    以下是FDP7030L/FDB7030L的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID): 100 A (实际最大值为75 A)
    - 脉冲漏电流 (ID): 300 A
    - 总功率耗散 (PD): 125 W (25°C以上每增加1°C减少0.83 W)
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -65°C 至 175°C
    - 最大引脚焊接温度 (TL): 275°C (离引脚1/8英寸处)
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 1.2 °C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 62.5 °C/W
    - 电气特性
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = 10 V, ID = 50 A: 0.007 Ω
    - VGS = 5 V, ID = 40 A: 0.010 Ω
    - 漏极连续电流 (ID):
    - VGS = 10 V, VDS = 10 V: 60 A
    - 输入电容 (Ciss): 2150 pF
    - 输出电容 (Coss): 1290 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 420 pF
    - 开关时间 (tD(on), tr, tD(off), tf):
    - tD(on): 10-20 ns
    - tr: 160-225 ns
    - tD(off): 70-95 ns
    - tf: 140-195 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 35-50 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 18 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在10 V栅源电压下,RDS(ON)仅为0.007 Ω,在5 V栅源电压下为0.010 Ω。
    - 高密度单元设计: 极低的RDS(ON),适用于需要高密度的应用。
    - 宽温度范围: 从-65°C到175°C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境。
    - 坚固的内部二极管: 可以替代外部瞬态抑制齐纳二极管,简化电路设计。
    - 快速开关特性: 优秀的开关速度和低开关损耗,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 这些晶体管广泛应用于直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和电源管理电路中。
    - 使用建议: 在设计电路时,应注意选择合适的栅极驱动电阻以确保快速和稳定的开关过程。在高电流应用中,应考虑散热设计以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: FDP7030L/FDB7030L可以与其他标准逻辑电平接口的设备兼容。
    - 支持: Fairchild Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保适当的热阻和散热片使用。
    - 问题2: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电阻选择合适,避免过度振荡。
    - 问题3: 晶体管失效。
    - 解决方案: 检查输入电压和电流是否超出绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    FDP7030L/FDB7030L是一款高性能的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管,具有低导通电阻、高密度单元设计和宽工作温度范围等显著优点。适用于多种低电压和高效率应用场合。考虑到其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在相关应用中使用该产品。

FDP7030L参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.44nF@15V
栅极电荷 33nC@ 5 V
最大功率耗散 68W(Tc)
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 40A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

FDP7030L厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDP7030L数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7030L FDP7030L数据手册

FDP7030L封装设计

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