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FDPF5N50UT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 28W(Tc) 5V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2Ω@ 2A,10V 650pF@25V TO-220F-3 通孔安装
供应商型号: LDL-FDPF5N50UT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF5N50UT

FDPF5N50UT概述

    FDPF5N50UT N-Channel UniFET™ Ultra FRFET™ MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDPF5N50UT 是一款 N-Channel UniFET™ Ultra FRFET™ MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电压、低电阻和快速开关性能的特点。该产品适用于多种应用场景,包括液晶/LED电视、照明系统、不间断电源(UPS)和交流-直流电源转换器等。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDSS): 500 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±30 V
    - 持续漏电流 (ID): 4 A (TC = 25°C), 2.4 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 16 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 216 mJ
    - 反复雪崩能量 (EAR): 8.5 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 28 W (TC = 25°C),超过25°C时每增加1°C降额0.22 W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.65 Ω (典型值) @ VGS = 10 V, ID = 2 A
    - 栅电荷 (Qg(tot)): 11 nC (典型值) @ VDS = 400 V, ID = 4 A, VGS = 10 V
    - 输入电容 (Ciss): 485 pF (典型值) @ VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 65 pF (典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 5 pF (典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) = 1.65 Ω (典型值) @ VGS = 10 V, ID = 2 A,有效降低功耗并提高效率。
    - 低栅电荷: Qg(tot) = 11 nC (典型值),有助于减少开关损耗,提升整体能效。
    - 快速恢复特性: 反向恢复时间 (trr) < 36 ns,反向恢复电荷 (Qrr) < 33 nC,适用于需要快速响应的应用。
    - 增强的雪崩测试: 100% 雪崩测试通过,确保在极端条件下可靠运行。
    - 符合RoHS标准: 环保设计,符合RoHS标准,适用于各种环保要求严格的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 液晶/LED电视: 由于其高电压和低电阻特性,FDPF5N50UT非常适合用于液晶/LED电视的电源管理模块。
    - 照明系统: 在照明系统中,该MOSFET可用于驱动LED灯条,提供高效且稳定的电流输出。
    - 不间断电源(UPS): 用于UPS系统的电源转换器中,提高系统的可靠性和稳定性。
    - AC-DC电源转换器: 在电源转换器中,该MOSFET能够显著提高转换效率,减少热损耗。
    使用建议:
    - 散热管理: 在高功率应用中,确保良好的散热管理,以防止过热导致性能下降。
    - 电路布局: 注意电路布局的合理性,尽量减少寄生电感和电容的影响,提高整体性能。
    - 驱动电路: 使用合适的驱动电路,确保栅极信号的稳定性和可靠性,以充分利用MOSFET的性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与其他标准N-Channel MOSFET兼容,但具体兼容性需根据实际应用进行验证。
    - 技术支持: ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和在线技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常噪音。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保栅极走线尽可能短,减少寄生电感的影响。
    - 问题2: 开关速度慢。
    - 解决方案: 确认驱动电路的性能,调整驱动电阻,优化栅极充电和放电时间。
    - 问题3: 温度过高。
    - 解决方案: 检查散热措施,确保良好的热管理,必要时添加散热片或风扇。

    7. 总结和推荐


    FDPF5N50UT N-Channel UniFET™ Ultra FRFET™ MOSFET凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,在多种电力转换和控制系统中表现出色。其低导通电阻、快速开关性能和良好的雪崩耐受能力使其成为高性能应用的理想选择。总体而言,该产品具有较高的性价比和市场竞争力,值得在相关应用中推广使用。

FDPF5N50UT参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 28W(Tc)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 2A,10V
栅极电荷 15nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 散装

FDPF5N50UT厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDPF5N50UT数据手册

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FDPF5N50UT封装设计

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