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FDP18N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
供应商型号: LDL-FDP18N50
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP18N50

FDP18N50概述


    产品简介


    FDPF18N50T MOSFET – N-Channel, UniFET™
    FDPF18N50T 是一种由安森美半导体(onsemi)开发的高电压N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用平面条纹技术和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造,具有较低的导通电阻(RDS(on)),提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。这款MOSFET 适用于功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换器应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | V | 500
    | 漏极电流(连续) | ID | A 18
    | 雪崩测试电流 | IAS | A 18
    | 突发脉冲雪崩能量 | EAS | mJ 945
    | 反向恢复峰值二极管恢复速率 | dv/dt | V/ns 4.5
    | 功耗(TC = 25°C) | PD | W | 235
    | 热阻,结到壳 | RθJC | °C/W 0.53 | 3.3 |
    | 热阻,结到环境 | RθJA | °C/W 62.5
    | 门限电压 | VGS(th) | V | 3.0 | 5.0
    | 导通电阻 | RDS(on) | Ω 0.220 | 0.265 |
    | 输入电容 | Ciss | pF 2200 | 2860 |
    | 输出电容 | Coss | pF 330 | 430 |
    | 反向传输电容 | Crss | pF 25 | 40 |

    产品特点和优势


    FDPF18N50T MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 低导通电阻:典型值为 0.220Ω(VGS = 10V,ID = 9A),适用于高效能的功率转换应用。
    - 低栅极电荷:典型值为 45nC,有助于降低功耗并提高系统效率。
    - 低反向传输电容:典型值为 25pF,有助于提高开关速度和降低开关损耗。
    - 雪崩耐受能力:通过100%雪崩测试验证,具有较高的安全性和可靠性。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保且符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LCD/LED/PDP 电视:FDPF18N50T 在这些电视中用于功率转换和调节,确保高效稳定的工作。
    - 照明系统:用于调节照明设备的功率供应,提高能源利用效率。
    - 不间断电源(UPS):用于存储和稳定电源,确保关键系统的持续运行。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热,特别是高电流情况下,应确保良好的热管理措施。
    - 根据具体应用场景选择合适的驱动电路,确保开关速度和导通性能达到最佳状态。
    - 对于需要长时间运行的应用,如UPS,应进行充分的热测试以确保长期稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品兼容大多数现有的开关电源设计,无需额外的电路调整。
    - 与TO-220F和TO-220全封装外壳兼容。
    支持:
    - 安森美半导体提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和应用该产品。
    - 厂商还提供专业的技术支持和售后服务,解决用户的任何疑问和问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:导通电阻高,发热严重
    - 解决办法: 检查是否有良好的散热措施,如使用散热片或风扇。确保工作环境温度不超过制造商推荐的最大温度范围。
    问题2:开关速度慢,影响效率
    - 解决办法: 检查驱动电路设计,确保栅极电荷足够低。如果必要,可以使用高速驱动器来提升开关速度。
    问题3:雪崩耐受性差
    - 解决办法: 检查应用环境是否存在过高的瞬态电压或电流冲击。确保使用适当的保护措施,如增加缓冲电路。

    总结和推荐


    综上所述,FDPF18N50T MOSFET 具有显著的优势,特别是在高电压和高频开关应用中表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩耐受性使其成为众多电源转换应用的理想选择。虽然初期成本较高,但其优异的性能和可靠性将带来更长的使用寿命和更低的整体运营成本。因此,我强烈推荐在需要高性能电源转换的应用中使用 FDPF18N50T MOSFET。

FDP18N50参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

FDP18N50厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FDP18N50数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP18N50 FDP18N50数据手册

FDP18N50封装设计

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