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FCU5N60TU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
供应商型号: CSCS-FCU5N60TU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCU5N60TU

FCU5N60TU概述

    FCD5N60 / FCU5N60 N-Channel SuperFET® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCD5N60 / FCU5N60 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)推出的 N 沟道 SuperFET® MOSFET,专为高效率开关电源设计。该产品采用了先进的超级结(SJ)技术,具备出色的低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够显著降低开关损耗和传导损耗,在高电压、大电流应用场景中表现出色。这款 MOSFET 广泛应用于 LCD/LED 电视和显示器、照明系统、太阳能逆变器以及 AC-DC 电源等领域。

    技术参数


    以下是 FCD5N60 / FCU5N60 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | BVDSS | 600 | - | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 810 | 950 | mΩ |
    | 栅极电荷 | Qg(total) | - | 16 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 2.8 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 7 | - | nC |
    | 输出电容 | Coss(eff.) | - | 32 | - | pF |
    | 击穿电压温度系数 | ΔBVDSS/ΔTJ | - | 0.6 | - | V/°C |
    | 最大结温 | TJ | -55 | 150 | - | °C |
    | 功耗 | PD | - | 54 | - | W |
    其他关键特性包括:
    - 有效输出电容 (Coss(eff.)): 32 pF
    - 最大脉冲雪崩能量: 159 mJ
    - 最大雪崩电流: 4.6 A
    - 重复雪崩能量: 5.4 mJ
    - 开关频率范围: 高达 1 MHz

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: RDS(on) 低至 810 mΩ,适用于需要高效能开关的应用场景。
    2. 超低栅极电荷: Qg(typ) 仅为 16 nC,减少开关损耗,提高整体能效。
    3. 优异的动态性能: 支持快速开关操作,尤其适合高频电源转换。
    4. 100% 雪崩测试通过: 提高产品的可靠性与耐用性。
    5. 环保合规: 符合 RoHS 标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - LCD/LED 电视和显示器: 在这些设备中,FCD5N60 / FCU5N60 可以用于主电源和背光驱动电路。
    - 照明系统: 适用于 LED 驱动电路,提供高效且稳定的电流输出。
    - 太阳能逆变器: 利用其高效的开关性能实现能源转换。
    - AC-DC 适配器: 用于笔记本电脑和其他便携式设备的电源适配器。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议在实际应用中根据负载条件调整栅极电阻 RG。
    - 确保 PCB 设计合理,避免寄生电感和电容引起的不良影响。
    - 定期监测结温,防止过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    FCD5N60 / FCU5N60 与 Fairchild 和 ON Semiconductor 的其他产品具有良好的兼容性。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和全面的支持服务,包括在线资源、技术支持热线和全球销售代表网络。此外,所有器件均经过严格的质量控制流程,确保符合行业标准。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:建议根据具体应用需求选择栅极电阻值,通常推荐范围为 10 至 25 Ω。
    2. 问题:如何判断器件是否发生热失控?
    - 解决方案:监控结温并参考热阻参数(RθJA = 83°C/W)。如果结温过高,请增加散热措施或降低功耗。
    3. 问题:如何测试雪崩耐受能力?
    - 解决方案:使用制造商提供的雪崩测试电路进行测试,并确保单脉冲雪崩能量不超过额定值。

    总结和推荐


    综上所述,FCD5N60 / FCU5N60 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 SuperFET MOSFET,非常适合现代高效能开关电源应用。其低导通电阻、超低栅极电荷和卓越的动态性能使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品给对能效和性能要求较高的客户。
    最终评价: 推荐!

FCU5N60TU参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通用封装 IPAK

FCU5N60TU厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

FCU5N60TU数据手册

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FCU5N60TU封装设计

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