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EPC2051

产品分类: 氮化镓场效应管
产品描述: 6V 2.5V@1.5mA 2.1nC@ 5 V 100V 25mΩ@ 3A,5V 258pF@50V 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 917-1201-2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EPC2051

EPC2051概述

    EPC2051 eGaN® FET:一款高效功率转换器

    产品简介


    EPC2051是EPC公司生产的一款基于氮化镓(GaN)技术的增强型场效应晶体管(eGaN® FET)。它具有高电子迁移率、低温度系数和零反向恢复电荷等特性,能够处理高开关频率及低导通损耗的任务。EPC2051特别适用于多种应用场合,如开放式机架服务器架构、激光雷达(LiDAR)/脉冲电源应用、电源供应器、D类音频放大器、LED照明系统、低电感电机驱动、以及用于相机模块、笔记本电脑和智能手机的时间飞行(ToF)模块中的VCSEL激光器。

    技术参数


    EPC2051的关键技术规格如下:
    - 最大额定值:
    - 漏极至源极电压 (VDS):100V
    - 连续漏极电流 (ID):1.7A
    - 脉冲漏极电流 (Pulsed ID):37A(25°C下,持续时间300微秒)
    - 栅极至源极电压 (VGS):±6V
    - 操作温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-40°C 至 +150°C
    - 热特性:
    - 热阻(结到外壳)RθJC:3.8°C/W
    - 热阻(结到板)RθJB:16°C/W
    - 热阻(结到环境)RθJA:92°C/W
    - 静态特性(25°C):
    - 漏极-源极漏电流 (IDSS):≤250μA
    - 栅极-源极正向漏电流 (IGSS):≤0.2mA
    - 阈值电压 (VGS(TH)):0.8V 至 2.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)):20mΩ 至 25mΩ
    - 动态特性(25°C):
    - 输入电容 (CISS):224pF 至 297pF
    - 反向传输电容 (CRSS):≤1pF
    - 输出电容 (COSS):86pF 至 129pF
    - 总栅极电荷 (QG):1.8nC 至 2.3nC

    产品特点和优势


    EPC2051的主要特点和优势包括:
    - 超高效率:氮化镓技术的低损耗特性使其非常适合高频应用。
    - 无反向恢复:没有反向恢复电荷,这大大提高了系统的整体效率。
    - 超低栅极电荷:低栅极电荷(QG)有助于降低驱动功耗。
    - 超小封装:尺寸仅为1.3mm x 0.85mm,适合高密度集成需求。

    应用案例和使用建议


    EPC2051可广泛应用于多种领域,例如:
    - 服务器电源系统:适用于需要高效率和高功率密度的数据中心服务器。
    - 激光雷达(LiDAR):用于自动驾驶汽车的激光雷达系统中,能够提供快速响应和精确测量。
    - 电源供应器:高效能的电源设计中可以显著减少损耗。
    - LED照明:通过减少导通损耗来提高灯具的光效。
    - 电机驱动:实现更高效、更低损耗的电机控制。
    - ToF模块:用于智能设备上的距离测量,如智能手机和平板电脑。

    兼容性和支持


    EPC2051具有广泛的兼容性,能够与大多数现代电路设计无缝对接。EPC公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南、焊接技术和热管理方案,以确保最佳性能和可靠性。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及其解决方案包括:
    - Q:如何处理高温下的热管理问题?
    - A: 使用铜片或散热片来提高热传导效率,同时合理布局电路以减少热积累。

    - Q:如何避免高频率下的开关损耗?
    - A: 选择适当的栅极电阻,优化驱动电路,以减少寄生电容的影响。

    总结和推荐


    EPC2051是一款高性能的GaN增强型场效应晶体管,凭借其高效的能量转换能力和优秀的热管理性能,非常适用于各种高要求的应用场景。无论是数据中心、激光雷达还是电机驱动系统,EPC2051都能提供卓越的性能表现。因此,强烈推荐此产品给需要高效率、高可靠性的客户。
    本文对EPC2051的产品特性和适用场景进行了全面分析,希望能帮助读者更好地理解这款高性能的GaN FET,并为其在特定领域的应用提供参考。

EPC2051参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 3A,5V
配置 -
击穿电压 -
栅极电荷 2.1nC@ 5 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1.5mA
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 6V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 258pF@50V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EPC2051厂商介绍

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)是一家领先的增强型氮化镓(eGaN)功率管理集成电路(IC)制造商。EPC专注于开发和生产高性能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业、消费电子、电信和计算机等。

EPC的主营产品分类包括:

1. eGaN FETs(增强型氮化镓场效应晶体管):提供高效率、高频率和高功率密度的功率转换解决方案。
2. ICs(集成电路):包括电源管理IC、驱动器IC等,用于实现复杂的功率管理功能。
3. Power Management Solutions(功率管理解决方案):提供定制化的功率管理解决方案,以满足特定应用的需求。

EPC的优势在于:

1. 高性能:EPC的eGaN技术提供了业界领先的性能,包括高效率、高频率和高功率密度。
2. 可靠性:EPC的产品经过严格的测试和认证,确保在各种环境下的可靠性。
3. 创新:EPC不断投资于研发,以推动氮化镓技术的发展和应用。
4. 定制化:EPC提供定制化的解决方案,以满足客户的特定需求。

EPC通过其高性能的eGaN技术,为全球客户提供了创新的功率管理解决方案,推动了电力电子技术的发展。

EPC2051数据手册

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EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EFFICIENT POWER CONVERSION EPC2051 EPC2051数据手册

EPC2051封装设计

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