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UT3419G-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-UT3419G-AE3-R SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3419G-AE3-R

UT3419G-AE3-R概述

    # UT3419G-AE3-R-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UT3419G-AE3-R-VB 是一款P沟道20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它主要应用于负载开关和PA开关等领域。这款MOSFET利用先进的TrenchFET®技术,具备出色的电气特性和稳定性。产品的主要特点是低导通电阻(RDS(on))和高可靠性的组合,使其在众多电子设备中发挥着关键作用。

    技术参数


    - 最大栅源电压(VGS): ±12V
    - 最大漏源电压(VDS): -20V
    - 最大连续漏电流(ID): -4A
    - 最大脉冲漏电流(IDM): -10A
    - 最大功耗(PD): 2.5W (TC = 25°C), 1.6W (TC = 70°C)
    - 最大结点温度(TJ): -55°C 到 150°C
    - 热阻(RthJA): 最大100°C/W
    关键性能参数
    - 导通电阻(RDS(on))
    - VGS = -10V 时: 0.060Ω
    - VGS = -4.5V 时: 0.065Ω
    - VGS = -2.5V 时: 0.080Ω
    - 总栅电荷(Qg): 10nC (VGS = -10V, VDS = -20V)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 在-4.5V栅极电压下,导通电阻仅为0.065Ω,这有助于减少损耗,提高效率。
    - 高可靠性: 符合RoHS指令,无卤素,且100%经过Rg测试。
    - 高耐压能力: 最大耐压为-20V,适用于高压场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关:在电池供电设备中,用于控制电流流动。
    - PA开关:在无线通信设备中,用于切换功率放大器。

    - 使用建议:
    - 由于该MOSFET的导通电阻低,建议在其工作温度范围内保持TJ在-55°C到150°C之间,以避免过热损坏。
    - 为了确保最佳性能,建议栅极电压保持在±12V以内,并注意电路设计中的散热管理。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET采用TO-236 (SOT-23) 封装,易于集成到多种应用中。
    - 支持: 客户可以通过台湾VBsemi的官方服务热线400-655-8788获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET发热严重
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如使用散热片或外部冷却系统。
    - 问题: 导通电阻不稳定
    - 解决方案: 检查栅极电压是否在规定范围内,以及电路是否有短路。

    总结和推荐


    UT3419G-AE3-R-VB MOSFET是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,适用于各种高压场合。它的低导通电阻和高可靠性使它成为许多电源管理和无线通信应用的理想选择。尽管需要谨慎处理温度和散热问题,但在正确的使用条件下,这款MOSFET能表现出色,值得推荐。
    如需更多技术支持或详细信息,请访问官网www.VBsemi.com 或联系客服400-655-8788。

UT3419G-AE3-R参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3419G-AE3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3419G-AE3-R数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3419G-AE3-R UT3419G-AE3-R数据手册

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