处理中...

首页  >  产品百科  >  ZVN4206GTA

ZVN4206GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,7A,RDS(ON),24mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT223-3
供应商型号: 14M-ZVN4206GTA SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZVN4206GTA

ZVN4206GTA概述

    ZVN4206GTA-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    ZVN4206GTA-VB 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SOT-223 封装形式。该产品符合 RoHS 和无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),使其环保且适用于各类工业及消费电子产品。该器件的主要功能是作为开关器件,在高电流、高效率的应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理模块。
    应用领域:
    - 工业控制设备
    - 通信设备
    - 消费电子
    - 电源管理
    - 照明系统

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 60 | V |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 1 ~ 3 | V |
    | 漏极连续电流(ID) | 7.0 @ TA=25°C, 6.0 @ TA=70°C | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 11 | mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 3.3 @ TA=25°C, 2.3 @ TA=70°C | W |
    | 结温范围 | -55 至 +175 | °C |
    | 热阻抗(RthJA) | 36 ~ 45 | °C/W |
    | 热阻抗(RthJF) | 17 ~ 20 | °C/W |
    其他关键参数:
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V, ID=6A 时:0.028 Ω
    - VGS=4.5V, ID=5.1A 时:0.033 Ω
    - 前向二极管压降(VSD):0.8 ~ 1.2 V

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:采用无卤素材料,符合 RoHS 指令,确保环保且稳定运行。
    - 卓越的热管理能力:低热阻抗设计(RthJA 和 RthJF),适合高功率密度应用。
    - 宽工作温度范围:最大结温可达 +175°C,适合恶劣环境。
    - 低导通电阻(RDS(on)):确保高效率和低功耗。
    - 快速开关特性:总栅极电荷低,减少开关损耗。
    市场竞争力:
    - 高性能与低成本的平衡,尤其适合对尺寸和散热要求较高的应用场景。
    - 广泛应用于工业、汽车及消费电子领域,能够满足多样化需求。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - DC-DC 转换器:利用其高效能和快速开关特性,减少转换过程中的功率损耗。
    - 电机驱动:适用于需要高电流输出的电机控制场景。
    - LED 驱动电路:低导通电阻有助于降低发热,延长设备寿命。
    使用建议:
    1. 布局优化:为了提升热性能,建议尽量靠近散热片安装,并选择大尺寸 PCB 来增强散热。
    2. 栅极驱动设计:选用合适的驱动电路以降低开关损耗,确保栅极驱动信号足够强。
    3. 散热措施:如需更高功率,可增加外部散热装置(如散热片或风扇)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN4206GTA-VB 与主流 PCB 设计兼容,可直接替换同封装下的其他 MOSFET。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载(服务热线:400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致失效 | 增加散热片或调整 PCB 布局 |
    | 开关速度慢 | 使用更低阻抗的栅极驱动电路 |
    | 导通电阻偏高 | 确保 VGS 足够高以达到最佳性能 |

    7. 总结和推荐


    ZVN4206GTA-VB 是一款性能卓越、性价比高的 N-Channel MOSFET,尤其适合高效率和高可靠性的应用需求。其宽温度范围、低导通电阻和良好的热管理能力使其成为工业和消费电子领域的理想选择。此外,VBsemi 提供的技术支持和服务也增强了产品的市场竞争力。
    推荐理由:
    - 环保合规,适合现代化绿色制造需求。
    - 适用于多种复杂应用场景,性能优异。
    - 易于集成和优化设计,减少开发周期。
    结论:强烈推荐用于高效率开关电源和其他功率控制场景。

ZVN4206GTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 3.3W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 27nC
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10V
通道数量 -
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZVN4206GTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZVN4206GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZVN4206GTA ZVN4206GTA数据手册

ZVN4206GTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.9537
库存: 120
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 4.76
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336