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P3N90-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: P3N90-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P3N90-VB

P3N90-VB概述

    N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款高性能的电子元器件,主要用于电力转换和控制应用。这款MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度以及优良的热稳定性,适用于各种高功率转换应用,如开关电源、电机驱动和电动汽车等领域。

    2. 技术参数


    以下是这款MOSFET的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 900 | - | V |
    | 门极源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门极源极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100| nA |
    | 零门极电压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 1.3 | - | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 3100 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 800 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 490 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | QG | - | 200 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | QGS | - | 24 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | QGD | - | 110 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:能够承受高瞬态电压变化,适合需要快速响应的应用。
    - 重复雪崩额定值:能够在高功率条件下可靠工作。
    - 隔离中央安装孔:提供更好的散热和可靠性。
    - 快速开关:有助于提高系统效率和降低功耗。
    - 易于并联:方便多个器件并联使用以提升电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:降低了对驱动电路复杂性的需求。
    - 符合RoHS标准:无铅化设计,更环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    这款MOSFET可以用于高功率开关电源、电机驱动器、电池管理系统以及电动车辆的逆变器。例如,在一个高功率开关电源中,这款MOSFET可以显著提高电源转换效率,减少能量损耗。
    使用建议:
    为了确保最佳性能,建议在设计电路时考虑以下几个方面:
    - 确保良好的散热设计,以防止过热损坏。
    - 采用适当的驱动电路,以确保MOSFET能在正确的门极电压下工作。
    - 使用高质量的输入输出电容器,以减少电磁干扰(EMI)。

    5. 兼容性和支持


    此款MOSFET具有良好的兼容性,可与其他标准电子元器件配合使用。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用手册、技术支持热线(400-655-8788)以及在线论坛,以帮助用户解决问题和进行进一步的技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET温度过高。
    解决办法:检查散热片是否正确安装,并且保持足够的散热空间。如果问题仍然存在,可能需要考虑更换更大的散热片或增加风扇辅助散热。
    - 问题2:电路出现不稳定现象。
    解决办法:检查驱动电路是否正确连接,并且确保MOSFET的门极电压处于正常范围内。也可以通过调整栅极电阻来优化驱动信号。
    - 问题3:MOSFET的漏电流过高。
    解决办法:检查电路中的偏置设置是否正确,并确认是否有短路或接触不良的情况。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 以其卓越的性能、优秀的热稳定性和出色的可靠性在市场上脱颖而出。它非常适合高功率应用,能够显著提高系统的效率和稳定性。强烈推荐使用此款产品来满足各类高功率转换需求。

P3N90-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P3N90-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P3N90-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P3N90-VB P3N90-VB数据手册

P3N90-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
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