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VBFB1102N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO251;N沟道;VDS=100V;ID =50A;RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;其高漏极-源极电压和低阈值电压特性使其适用于各种规模的太阳能逆变器,从小型家庭系统到大型商业和工业应用。
供应商型号: VBFB1102N TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB1102N

VBFB1102N概述

    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款适用于多种电源管理应用的功率场效应晶体管(Power MOSFET)。它具备高效的开关特性和较低的导通电阻,使其非常适合用于主侧开关、电池充电器和其他需要高效能功率转换的应用。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 100 V
    - 最大门源电压 (VGS): ±20 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (TC = 25°C): 43 A
    - 脉冲漏极电流 (IMD): 150 A
    - 持续源极电流 (IS): 43 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 3 A
    - 功率参数:
    - 最大耗散功率 (TC = 25°C): 96 W
    - 热阻参数:
    - 结至环境热阻 (RthJA): 15 °C/W (典型值), 18 °C/W (最大值)
    - 结至外壳(漏极)热阻 (RthJC): 0.85 °C/W (典型值), 1.1 °C/W (最大值)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 100 V
    - 门阈电压 (VGS(th)): 2 V ~ 4 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1 µA @ TJ = 25°C
    - 动态特性:
    - 导通延迟时间 (td(on)): 15 ns ~ 25 ns
    - 上升时间 (tr): 50 ns ~ 75 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 30 ns ~ 45 ns
    - 下降时间 (tf): 60 ns ~ 90 ns

    产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET: 具备低栅电荷、高击穿电压和低导通电阻的特点。
    - 高温工作能力: 最大工作温度可达175°C,适用于严苛的工作环境。
    - PWM优化: 适用于脉宽调制(PWM)系统,提供高效率的开关性能。
    - 100% Rg测试: 确保产品的一致性和可靠性。
    - 符合RoHS指令: 产品符合环保标准,有助于环境保护。

    应用案例和使用建议


    - 主侧开关: 由于其高效能的开关特性,特别适合于电源适配器中的主侧开关。
    - 电池充电器: 可用于电池充电器,确保快速而稳定的充电过程。
    - 逆变器和DC-DC转换器: 在需要高频开关和高效能功率转换的应用中表现优异。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于较高功率损耗,建议采用良好的散热措施,如加装散热片或散热器。
    - 电路布局: 确保门驱动线路尽可能短,以减少杂散电感和提高稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品可以与大多数主流电源管理IC和控制器兼容。
    - 技术支持: VBsemi提供全面的技术支持,包括在线帮助文档和专业工程师咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:工作温度超过175°C时会怎样?
    - 答:工作温度超过175°C可能会导致设备过热损坏,因此建议严格按照绝对最大额定值限制操作。

    2. 问:如何优化导通延迟时间?
    - 答:通过调整门驱动电阻(Rg)来优化导通延迟时间,较小的Rg值通常会缩短导通延迟时间。
    3. 问:能否用于医疗或生命支持设备?
    - 答:不建议用于医疗或生命支持设备,除非经过专门认证和验证。

    总结和推荐


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 具备高效的开关性能和出色的温度适应能力,非常适合用于高频开关应用。由于其低导通电阻和良好的散热设计,它在各种工业和消费电子产品中都有广泛的应用前景。我们强烈推荐此产品给寻求高效能、高可靠性的电源管理解决方案的用户。

VBFB1102N参数

参数
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 11.8mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB1102N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB1102N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB1102N VBFB1102N数据手册

VBFB1102N封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
4000+ ¥ 2.8502
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起订量: 10 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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