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DTP15N65SJ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于电源管理模块,包括开关电源、电源适配器和LED驱动器等,用于稳定的电源输出和节能控制。
供应商型号: DTP15N65SJ-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) DTP15N65SJ-VB

DTP15N65SJ-VB概述


    产品简介


    DTP15N65SJ-VB 是一款N沟道650V超级结功率MOSFET,由台湾VBsemi公司生产。它主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明应用(如高强度放电灯HID和荧光灯球泡),还包括工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源)。这款MOSFET具有低导通电阻和低门极电荷,适用于高频开关应用,具备优良的动态特性和低功耗性能。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大650V(在TJ最大时)
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25°C时为0.23Ω(VGS = 10V)
    - 总门极电荷 (Qg):典型值为24nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):典型值为6nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):典型值为11nC
    - 绝对最大额定值:门极-源极电压 (VGS) 最大±30V,连续漏极电流 (TJ = 150°C) 在VGS = 10V时最大为15A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大286mJ
    - 最高结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.23Ω,提供更低的损耗和更高的效率。
    - 低门极电荷:典型值24nC,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
    - 高雪崩能力:最大雪崩能量为286mJ,适用于需要承受高瞬态电压的应用。
    - 低输入电容:Ciss 为1640pF,减少了输入电容的影响,有助于提升频率响应。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:适合用于数据中心的服务器电源供应器,以实现高效能的电力转换。
    2. 照明系统:适用于各种商业和工业照明系统,如HID灯和荧光灯球泡。
    3. 工业应用:可用于焊接、感应加热、电机驱动等多种工业设备,具有高可靠性和稳定性。
    使用建议
    - 在选择电路设计时,要考虑到其高雪崩能力和低漏电流,确保在高电压瞬变情况下依然稳定运行。
    - 为防止过热,应合理选择散热器和冷却方案,尤其是对于长时间高负载的工作环境。
    - 在高频应用中,应注意门极电阻的选择,以避免振荡现象。

    兼容性和支持


    DTP15N65SJ-VB 可与其他标准MOSFET产品兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持,包括样品请求、数据手册下载和技术咨询。此外,还提供了一系列的应用指南和参考设计,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下出现过温保护。
    解决方案:检查散热器是否安装正确且尺寸足够,确保通风良好。如果需要,增加外部风扇辅助降温。
    2. 问题:在高电流条件下发生过流。
    解决方案:确认电路中已包含适当的电流限制措施,例如在电路中添加保险丝或限流电阻。
    3. 问题:电路运行不稳定,出现意外关断。
    解决方案:检查门极驱动信号是否稳定且无噪声干扰。使用低阻抗门极驱动器并确保门极电阻的正确选择。

    总结和推荐


    综上所述,DTP15N65SJ-VB 是一款高性能、低损耗的N沟道650V超级结功率MOSFET。它具备优秀的动态特性和可靠的雪崩能力,非常适合多种高要求的应用场景。无论是数据中心电源还是工业自动化控制,都能发挥出色的表现。因此,我强烈推荐此款产品,特别是对于那些需要高效率、高可靠性的应用场景。

DTP15N65SJ-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

DTP15N65SJ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

DTP15N65SJ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 DTP15N65SJ-VB DTP15N65SJ-VB数据手册

DTP15N65SJ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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