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IXFH16N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在电力领域,该器件可用于设计高压直流输电系统中的开关模块,以提高输电效率和稳定性。
供应商型号: IXFH16N80P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH16N80P-VB

IXFH16N80P-VB概述


    产品简介


    IXFH16N80P-VB是一款N沟道超结功率MOSFET,具有出色的开关特性和导通电阻。该器件适用于多种高压应用场合,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统。IXFH16N80P-VB以其低栅极电荷和极低的导通损耗而著称,能够显著提高能效和降低能耗。

    技术参数


    - 最大漏源电压 \(V{DS}\):800V
    - 在25℃时的导通电阻 \(R{DS(on)}\):0.50Ω(当 \(V{GS}\) = 10V)
    - 最大总栅极电荷 \(Qg\):73nC
    - 最大连续漏极电流 \(ID\):25℃时为1A,100℃时为8A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):226mJ
    - 最大功耗 \(PD\):156W
    - 热阻 \(R{thJA}\):62°C/W
    - 最高工作温度 \(T{J, T{STG}}\):-55到+150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):IXFH16N80P-VB的低栅极电荷使得器件在快速开关时更加高效,减少了开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):低输入电容使得器件在开关过程中所需的驱动功率更小。
    - 减小的开关和导通损耗:该MOSFET能够有效减少整体系统损耗,提高了系统的效率。
    - 重复额定峰值电流:25℃时最大连续漏极电流可达1A,在高温条件下也有出色表现。
    - 耐高温能力:最高工作温度可达150°C,确保在恶劣环境中也能稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:IXFH16N80P-VB可用于服务器和电信电源中,提高电源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):在SMPS中使用时,IXFH16N80P-VB可以提高系统效率并减少热量产生。
    - 照明应用:在HID灯和荧光灯照明系统中,IXFH16N80P-VB能够提供高效的电源解决方案。
    使用建议
    - 选择合适的栅极驱动器:为了充分发挥IXFH16N80P-VB的性能,建议选择一个能够提供适当栅极电压的驱动器。
    - 散热设计:考虑到较高的功耗,必须确保良好的散热设计以保持器件在安全的工作温度范围内。
    - 信号线路布局:在布线时,避免长的信号走线,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFH16N80P-VB与大多数常见的驱动电路和电源管理系统兼容。
    - 技术支持:台湾VBsemi Electronics提供了详尽的技术文档和在线支持,客户可以在需要时获得帮助和技术指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下运行时,器件过热怎么办?
    - 解决方案:确保散热设计合理,可以考虑增加散热片或采用强制风冷来改善散热条件。

    - 问题:栅极驱动电压过高导致损坏怎么办?
    - 解决方案:检查并调整驱动电路,确保栅极驱动电压不超过推荐的最大值。

    总结和推荐


    综上所述,IXFH16N80P-VB是一款非常优秀的N沟道超结功率MOSFET。它具有低栅极电荷、低输入电容和低开关损耗等特点,适合在高压应用中使用。对于需要高性能、高效率的应用,IXFH16N80P-VB是最佳的选择。因此,强烈推荐此产品给需要高性能电源解决方案的客户。

IXFH16N80P-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 11A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH16N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH16N80P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH16N80P-VB IXFH16N80P-VB数据手册

IXFH16N80P-VB封装设计

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