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IXFH50N20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=200V;ID =96A;RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=4V;适用于工业电机驱动器中的功率开关电路,如变频器、电机控制器等设备的电源管理模块。
供应商型号: IXFH50N20-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH50N20-VB

IXFH50N20-VB概述

    IXFH50N20-VB 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    IXFH50N20-VB 是一款N沟道200V(D-S)最大结温为175°C的MOSFET晶体管。该产品采用了ThunderFET®技术,具备高可靠性和高性能的特点,广泛应用于电源管理、同步整流、电机驱动、太阳能微逆变器以及音频放大等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大结温:175°C
    - 测试条件下的最大连续漏极电流:96A(TJ = 150°C)
    - 最大脉冲漏极电流:240A
    - 单次雪崩能量:180mJ
    - 最大功率耗散:375W(Tc = 25°C)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:200V
    - 栅源电压:±20V
    - 绝对最高温度范围:-55°C到+175°C
    - 静态特性:
    - 击穿电压(VDS):200V(VGS = 0V, ID = 250μA)
    - 栅阈值电压(VGS(th)):3-5V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):1μA(VDS = 200V, VGS = 0V, TJ = 125°C)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):4132pF(VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):246pF
    - 总栅电荷(Qg):64nC(VDS = 100V, VGS = 10V, ID = 60A)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证
    - 宽温范围:最高结温可达175°C
    - ThunderFET®技术:提供更高的效率和更低的损耗
    - 广泛应用:适用于多种电力电子应用,包括不间断电源、开关电源、同步整流、电机驱动等

    4. 应用案例和使用建议


    - 不间断电源(UPS):IXFH50N20-VB能够承受高达200V的电压和175°C的高温,确保在高电压和高功率条件下稳定运行。
    - 同步整流:在同步整流电路中,IXFH50N20-VB可以减少损耗并提高效率,特别是在高频下工作时。
    - 建议:在选择散热片时需考虑热阻,确保MOSFET在高功率工作时不因过热而失效。建议在具体应用前进行充分的热模拟和测试。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXFH50N20-VB可以与各种电源管理系统、电机驱动系统和其他电力电子模块良好兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括应用指南、设计文档和技术咨询,确保客户能够顺利应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在高功率状态下过热
    - 解决方案:增加散热器面积,优化电路布局以减小热阻
    - 问题:MOSFET开启延迟时间长
    - 解决方案:降低栅极电阻(Rg),优化驱动信号以加快开启速度

    7. 总结和推荐


    IXFH50N20-VB 是一款出色的N沟道MOSFET,具有高可靠性、宽温范围、高效能等特点,适用于多种电力电子应用。建议在选择使用时详细评估应用场景和散热需求,确保最佳性能。VBsemi公司提供的技术支持也为用户提供了可靠的保障。
    综上所述,IXFH50N20-VB是一款值得推荐的产品,尤其适用于需要高可靠性和宽温范围的应用场景。

IXFH50N20-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 96A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH50N20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH50N20-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH50N20-VB IXFH50N20-VB数据手册

IXFH50N20-VB封装设计

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