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IXFH24N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =15A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于高功率电力电子变换器,例如工业变频器、交流电机驱动器等,提供可靠的功率开关功能。
供应商型号: IXFH24N80P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH24N80P-VB

IXFH24N80P-VB概述


    产品简介


    IXFH24N80P-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压(VDS)的特点,适合用于多种电源转换应用,包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统中的高强度放电灯(HID)和荧光灯调光系统。该产品不仅能够在高电压环境下稳定工作,还具有良好的开关特性和较低的损耗,使其在现代电力电子设计中成为理想的选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 800 V
    - 静态漏源击穿电压(VDS): 800 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2 V - 4 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.38 Ω (VGS=10 V)
    - 输出电容(Coss): 11 pF (VDS=0 V 至 520 V)
    - 总栅极电荷(Qg): 96 nC (VGS=10 V)
    - 栅源电荷(Qgs): 11 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 21 nC
    - 连续漏极电流(ID): 15 A (TJ=25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 46 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 297 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 208 W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 至 +150 °C
    - 热阻抗(RthJA, RthJC): 最大值分别为62 °C/W 和 0.7 °C/W

    产品特点和优势


    IXFH24N80P-VB具备多项显著优势:
    - 低栅极电荷(Qg): 有助于降低开关损耗,提高能效。
    - 低输入电容(Ciss): 减少了寄生效应,增强了信号完整性。
    - 减少开关和导通损耗: 这一特性使其非常适合高频应用。
    - 高可靠性: 雪崩能量等级(UIS)显示其具有优异的耐用性和可靠性。
    这些特点使其在现代电力电子设计中具有广泛的应用前景,尤其适用于要求高效能和高可靠性的领域。

    应用案例和使用建议


    IXFH24N80P-VB主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。例如,在服务器和电信电源供应系统中,它可以作为主开关器件,显著提高系统的工作效率和稳定性。在开关模式电源供应器(SMPS)中,其快速开关特性可以有效减少损耗并提高功率密度。
    使用建议:
    1. 在选择驱动电路时,要确保栅极驱动电阻(Rg)与该器件匹配,以避免过高的栅极电压峰值。
    2. 要考虑热管理设计,确保良好的散热效果,特别是在高温环境下运行时。
    3. 注意栅极驱动电压(VGS),在实际应用中最好保持在推荐范围内,以保证器件的最佳性能。

    兼容性和支持


    IXFH24N80P-VB采用TO-247AC封装,可与同类型封装的其他元器件进行物理上的直接替换。制造商VBsemi提供了全面的技术支持和维护服务,包括详细的用户手册和技术文档,以帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,技术支持团队也可为特定应用提供定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关过程中出现过高的栅极电压峰值,导致器件损坏。
    解决方案: 检查并调整栅极驱动电阻(Rg),确保其值与器件匹配。增加缓冲电路以减少电压尖峰的影响。
    问题2: 在高电流条件下,器件出现异常发热。
    解决方案: 优化散热设计,使用高效的散热片或水冷系统,以提高散热效率。
    问题3: 产品在高湿度环境中工作不稳定。
    解决方案: 确保产品安装环境干燥,必要时添加防水和防潮措施。

    总结和推荐


    IXFH24N80P-VB凭借其出色的性能和广泛的适用性,在各类电源转换和控制应用中展现出卓越的性能。它的低损耗特性、高可靠性以及优秀的热管理能力,使得其成为当前市场上最具竞争力的产品之一。强烈推荐给寻求高效能、高可靠性的电力电子设计工程师们。无论是服务器电源、通信电源还是工业控制领域,这款产品都能提供卓越的支持。

IXFH24N80P-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 15A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH24N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH24N80P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH24N80P-VB IXFH24N80P-VB数据手册

IXFH24N80P-VB封装设计

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