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IXFR66N50Q2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFR66N50Q2-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR66N50Q2-VB

IXFR66N50Q2-VB概述


    产品简介


    IXFR66N50Q2-VB
    IXFR66N50Q2-VB是一款来自台湾VBsemi公司的N沟道500V(漏源电压)超级结功率MOSFET。它适用于各种电源转换应用,如开关模式电源供应器(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关、硬开关和高频电路等。其设计旨在提高系统的可靠性和效率,广泛应用于工业控制、通信系统及消费电子产品等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS): 500V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 3.0 - 5.0V
    - 零栅源电压漏电流(IDSS): 50μA(VDS = 500V)
    - 输出电容(Coss): 960pF
    - 总栅极电荷(Qg): 350nC
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)): 0.080Ω(VGS = 10V)
    - 热阻(RthJA): 40°C/W
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt): 9.0V/ns
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg): 这一特性简化了驱动要求,减少了开关过程中的能量损耗。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性: 改进了器件在高应力条件下的可靠性。
    3. 全范围表征的电容和雪崩电压及电流: 确保了稳定的性能和较长的使用寿命。
    4. 低导通电阻(RDS(on)): 有助于提高系统的能效,减少热量产生。
    5. 符合RoHS标准: 符合环保标准,满足现代电子产品的要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源供应器(SMPS): IXFR66N50Q2-VB适用于各种类型的开关电源,提供高效且可靠的电源转换。
    - 不间断电源(UPS): 由于其高效的功率处理能力和良好的瞬态响应能力,适合用于对电源稳定性要求较高的场合。
    - 高频电路: 高频开关的应用对器件的要求较高,IXFR66N50Q2-VB的低栅极电荷和高耐压使其在这些应用中表现出色。
    使用建议:
    - 在设计时需注意散热问题,确保器件工作在推荐的温度范围内。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以降低功耗并提高系统的稳定性和可靠性。
    - 针对高频率应用,应选择合适的栅极驱动器和布局设计,以减小寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    IXFR66N50Q2-VB的设计与大多数现有的电源系统兼容,可用于多种电路设计。厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括用户指南、安装手册和技术咨询等,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,VBsemi公司还提供了一系列的质量保证措施,确保产品的长期稳定运行。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保器件的工作温度不超过最大允许值。

    - 问题2: 开关速度慢,响应时间长。
    - 解决方案: 调整栅极驱动电路,增加栅极电荷驱动电流,以加快开关速度。
    - 问题3: 电路出现振荡现象。
    - 解决方案: 优化电路布局,减小寄生电感和电容的影响,必要时可以添加额外的缓冲电路。

    总结和推荐


    IXFR66N50Q2-VB凭借其优异的性能和广泛的应用领域,是一款非常适合用于各类电源转换和高速功率开关的N沟道超级结功率MOSFET。它在低栅极电荷、低导通电阻和增强的耐用性方面表现卓越,适合需要高效能和高可靠性的应用场景。我们强烈推荐这款产品,特别是在需要高效、可靠且环保的电源转换解决方案的环境中。
    综上所述,IXFR66N50Q2-VB是市场上的一个优秀选择,无论是在性能还是可靠性方面都具备较强的竞争力。

IXFR66N50Q2-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR66N50Q2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR66N50Q2-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFR66N50Q2-VB IXFR66N50Q2-VB数据手册

IXFR66N50Q2-VB封装设计

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