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2SK3140-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。 适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。TO220F;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
供应商型号: 2SK3140-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3140-VB

2SK3140-VB概述

    电子元器件产品技术手册解析:2SK3140-VB

    产品简介


    2SK3140-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道增强型60V(D-S)功率MOSFET。它采用了先进的TrenchFET技术,能够在高温环境下稳定运行,其最大结温高达175°C。这款器件以其出色的开关性能和低导通电阻而闻名,适用于多种高压电力转换和控制场景,包括电机驱动、电源管理以及通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 50/250 | µA |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 60 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.008/0.010 | 0.005 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 2650 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 470 | - | pF |
    | 逆向传输电容 | Crss | - | 225 | - | pF |
    | 栅极总电荷 | Qg | 47 | 70 | - | nC |
    | 热阻抗 | RthJA | 15 | - | 18 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 高温稳定性:结温可达175°C,适合恶劣工作环境。
    2. 低导通电阻:典型值为0.005Ω(VGS=10V),有效降低功耗。
    3. 高开关速度:优秀的动态性能支持高频开关操作。
    4. 可靠性高:通过严格的测试验证,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于服务器电源、太阳能逆变器及工业自动化控制系统中。
    - 使用建议:
    - 在设计时需注意散热设计,尤其是在高功率应用场景下。
    - 调整驱动电路参数以优化开关性能。

    兼容性和支持


    该产品兼容市面上主流的PCB布局工具和焊接工艺,且厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 改进散热设计,增加散热片 |
    | 开关过程中出现异常噪声 | 调整驱动电路参数 |

    总结和推荐


    综上所述,2SK3140-VB凭借其卓越的性能和广泛的适用性,在高压电力转换领域表现优异。对于需要高性能、高可靠性的应用场景,我们强烈推荐此款产品。如有进一步需求或疑问,请随时联系我们的技术支持团队(服务热线:400-655-8788)。

2SK3140-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 210A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3140-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3140-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3140-VB 2SK3140-VB数据手册

2SK3140-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.2195
100+ ¥ 5.7588
500+ ¥ 5.5284
1000+ ¥ 5.2981
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型号 价格(含增值税)
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