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6R190E6-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =20A;RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在工业自动化领域,可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备,以实现高效能源转换和精确控制。
供应商型号: 6R190E6-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R190E6-VB TO247

6R190E6-VB TO247概述

    产品概述

    产品简介


    6R190E6-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超级结MOSFET,属于650V的功率器件。其独特的超级结结构使其在高电压、大电流的应用场景中表现出色。本产品主要用于电信电源、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)、消费电子、计算设备、工业焊接和电池充电器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及开关模式电源(SMPS)等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 \( V{DS(max)} \): 650 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.19 Ω (在 25°C 和 VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 \( Qg(max) \): 106 nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2322 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 105 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): -4 pF
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 367 mJ
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS(max)} \): 650 V
    - 栅源电压 \( V{GS(max)} \): ±30 V
    - 连续漏电流 \( I{D(max)} \): 13 A (在 TC = 100°C 下)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM(max)} \): 53 A
    - 最大耗散功率 \( PD(max) \): 208 W
    - 工作温度范围 \( T{J, T{stg}} \): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    6R190E6-VB 具有多项显著优势:
    - 低栅极电荷:显著减少门极驱动损耗。
    - 快速反向恢复时间:减少 Qrr 使得开关损耗降低。
    - 超低输入电容:减少杂散电容带来的损耗。
    - 低导通电阻:在高频和高电流应用中减少导通损耗。
    - 宽温度范围:适用于各种极端工作环境。
    这些特点使其成为高效率和高性能电源转换器的理想选择,特别是在需要紧凑、高效且可靠的设计中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和通信电源:用于电信基础设施中各类通信设备的电源管理。
    - 太阳能逆变器:适合应用于光伏系统的逆变器中,实现高效能源转换。
    - 工业焊接设备:因其高可靠性而广泛用于各类工业焊接设备。
    使用建议
    - 在设计电路时,应特别注意散热设计,避免过高的温度导致器件损坏。
    - 确保栅极驱动器具有足够的能力以防止栅极过压。
    - 应考虑器件的寄生电容,特别是 \( C{oss} \),并相应调整驱动电路的设计。

    兼容性和支持


    6R190E6-VB 具有广泛的兼容性,能够与多种电源拓扑和控制方案兼容。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行正确的电路设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热设计,增加散热片或强制风冷 |
    | 开关损耗大 | 减小栅极电容,优化驱动电路 |
    | 雪崩击穿 | 重新评估工作条件,确保不超过最大额定值 |

    总结和推荐


    综上所述,6R190E6-VB 在多个方面都展示了优异的性能,特别是在高效能和高频应用中。无论是从技术规格还是实际应用来看,这款MOSFET都非常值得推荐。无论是在工业、商业还是消费电子产品中,它都能提供可靠的电力管理和高效的能源转换。强烈推荐设计师和工程师将此产品纳入他们的项目中,以获得最佳的性能表现和可靠性保障。

6R190E6-VB TO247参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ(mΩ)
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6R190E6-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R190E6-VB TO247数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R190E6-VB TO247 6R190E6-VB TO247数据手册

6R190E6-VB TO247封装设计

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