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FI3306G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。VBsemi的是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。TO220F;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;
供应商型号: FI3306G-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FI3306G-VB

FI3306G-VB概述

    FI3306G-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FI3306G-VB 是一款高耐热性能的 N-通道 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用先进的 TrenchFET® 技术,能够承受高达 175°C 的结温,适用于需要高可靠性的工业、汽车和消费电子产品领域。该产品的主要功能是用于控制电源电路中的电流,确保系统稳定运行。

    技术参数


    以下是 FI3306G-VB 的关键技术参数:
    - 静态特性:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 漏极导通电流 \(I{DSS}\): 1µA @ \(V{GS} = 0V\)
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.23V
    - 开态漏极电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 20A 时 @ 10V:0.008Ω
    - 20A 时 @ 175°C:0.010Ω
    - 15A 时 @ 4.5V:0.005Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2650pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 470pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 225pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 47nC @ 30V, 50A
    - 开启延迟时间 \(td(on)\): 10ns ~ 20ns
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 185A @ 25°C
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 200A
    - 最大功率耗散 \(PD\): 136W @ 25°C
    - 温度范围:
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 15°C/W
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.85°C/W

    产品特点和优势


    FI3306G-VB 的显著特点是其高耐热性能和先进的 TrenchFET® 技术,能够在极端环境下保持出色的电气性能。此外,其低开态电阻和高可靠性使其在各种高要求应用中表现出色,特别适合汽车和工业领域。

    应用案例和使用建议


    FI3306G-VB 广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和逆变器等领域。在实际应用中,建议根据具体应用场景选择合适的栅极驱动电压和电流参数,以优化整体性能。例如,在电池管理系统中,通过优化栅极驱动信号可以提高系统的效率和稳定性。

    兼容性和支持


    FI3306G-VB 支持多种封装形式,如 TO-220 FULLPAK。厂商提供详尽的技术支持,包括设计指导和技术咨询服务。此外,客户可以通过官方渠道获取最新的产品更新和维护信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定 FI3306G-VB 是否适用于高温环境?
    - 答:FI3306G-VB 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适合大多数高温应用。客户可以根据具体应用需求选择合适的工作温度。
    2. 问:FI3306G-VB 在高脉冲电流下的表现如何?
    - 答:FI3306G-VB 的最大脉冲漏极电流可达 200A。在高脉冲电流条件下,建议监测其温度变化,以确保安全运行。

    总结和推荐


    FI3306G-VB 是一款高性能的 N-通道 MOSFET,以其卓越的耐热性能和可靠性脱颖而出。对于需要在高温环境中工作的电源管理系统、电机驱动等应用,这款产品是一个理想的选择。强烈推荐在高要求应用中使用 FI3306G-VB。

FI3306G-VB参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 210A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FI3306G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FI3306G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FI3306G-VB FI3306G-VB数据手册

FI3306G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.7588
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1000+ ¥ 5.2981
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