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FCA16N60N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: FCA16N60N-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCA16N60N-VB

FCA16N60N-VB概述

    FCA16N60N-VB 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCA16N60N-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的600V N-Channel Super Junction MOSFET。这款MOSFET 主要用于电信、照明、消费电子、工业焊接、电池充电、光伏逆变器等领域,其独特之处在于低反向恢复时间(trr)、低存储电荷(Qrr)和低逆向恢复电流(IRRM),这些特性使得它特别适用于高频率开关电源应用。

    技术参数


    以下是FCA16N60N-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 600 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 栅漏电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 33 | - | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 有效输出电容,能量相关 | Co(er) | - | 84 | - | nC |
    | 有效输出电容,时间相关 | Co(tr) | - | 293 | - | nC |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 160 | - | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 1.2 | - | μC |
    | 反向恢复电流 | IRRM | - | 14 | - | A |

    产品特点和优势


    - 低反向恢复时间(trr):有助于降低电路中的损耗,提高效率。
    - 低栅源电荷(Qg):减少开关过程中的能量损失,从而提升整体性能。
    - 低输入电容(Ciss):有助于加快开关速度。
    - 低损耗开关:得益于低Qrr和IRRM,减少了反向恢复期间的能量损失。
    - 超强耐用性:具备重复脉冲能力,能够在极端温度条件下稳定工作。
    - 超低栅极电荷(Qg):减少能耗,提升效率。

    应用案例和使用建议


    FCA16N60N-VB 主要应用于各种电源转换系统,例如电信电源、LED照明电源、ATX电源等。由于其出色的高频性能和低损耗特性,适合于高频工作环境。
    - 典型应用:服务器电源、通信电源、LED驱动电源、ATX电源、焊接电源、电池充电器、光伏逆变器等。
    - 使用建议:
    - 在设计时注意热管理,确保MOSFET的工作温度不超出最大额定值。
    - 使用低泄漏电感的电路布局,以减少寄生电感的影响。
    - 配备良好的接地平面,有助于减少干扰并提高可靠性。

    兼容性和支持


    FCA16N60N-VB 具有标准的TO-3P封装,可以方便地集成到现有电路板上。厂家提供详细的技术文档和支持,包括热阻抗数据、失效保护机制等,以帮助客户更好地使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的门极驱动电压导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:确保门极驱动电压在规定范围内(±30V)。

    - 问题:散热不良导致MOSFET过热。
    - 解决方案:采用有效的散热措施,如加装散热片或使用热管。

    总结和推荐


    FCA16N60N-VB 是一款高性能的N-Channel Super Junction MOSFET,具有低损耗、快速开关和高可靠性的特点,特别适合应用于高频开关电源领域。其出色的技术规格和广泛的应用范围使其在市场上具备强大的竞争力。推荐给需要高效能、高可靠性的电子设计师和制造商使用。
    通过以上介绍,希望对您选择合适的MOSFET提供一定的参考价值。

FCA16N60N-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCA16N60N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCA16N60N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCA16N60N-VB FCA16N60N-VB数据手册

FCA16N60N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 13.2888
500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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