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FCA20N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: FCA20N60F-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCA20N60F-VB

FCA20N60F-VB概述

    FCA20N60F-VB N-Channel 600 V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCA20N60F-VB 是一款 N 沟道 600 V 超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高电压和高性能应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和高开关速度的特点,使其成为电信、照明、消费电子、工业应用以及可再生能源系统中电源转换的理想选择。

    技术参数


    - 最高耐压 (VDS):600 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.19 Ω (在 25°C 下)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):106 nC
    - 输入电容 (Ciss):2322 pF
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 反向传输电容 (Crss):-4 pF
    - 有效输出电容(能量相关) (Co(er)):84 pF
    - 有效输出电容(时间相关) (Co(tr)):293 pF
    - 栅源电荷 (Qgs):14 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):33 nC
    - 反向恢复时间 (trr):160 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):1.2 μC
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS):367 mJ
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时 13 A;100 °C 时 2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):53 A
    - 最大功耗 (PD):208 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 结至环境热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 结至外壳热阻 (RthJC):5 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):降低驱动功率需求,提高系统效率。
    2. 低反向恢复时间和反向恢复电荷 (trr 和 Qrr):减少开关损耗,提高整体性能。
    3. 低导通电阻 (RDS(on)):在较高温度下保持较低的导通电阻,适用于多种工作条件。
    4. 高雪崩能量等级 (UIS):增强电路可靠性,适用于恶劣环境。
    5. 低输入电容 (Ciss):减少栅极驱动器的负载,加快开关速度。

    应用案例和使用建议


    - 电信行业:服务器和电信电源供应中,由于其低栅极电荷和高效率,能够显著降低能耗。
    - 照明行业:适用于高强度放电灯和荧光灯球泡,提供稳定的电源输出。
    - 消费和计算:ATX 电源供应系统中,能够提升整体能效。
    - 工业应用:焊接和电池充电系统中,保证高效和稳定的工作状态。
    - 可再生能源:太阳能逆变器中,能够处理高电压和高电流,保证系统的可靠性和效率。
    - 开关模式电源:由于其低开关损耗和高频率响应,特别适合高频工作的电源系统。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意避免过载,确保电路设计合理,避免高温导致的失效。
    - 确保良好的散热措施,以保持设备正常运行。
    - 在设计电路时考虑其输入和输出电容值,以确保开关过程中的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCA20N60F-VB 与大多数现有的电信、工业和消费电子产品兼容,广泛应用于各种设备。
    - 支持:台湾 VBsemi 公司提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,器件出现过热。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇来降低温度。
    2. 问题:设备在大电流下不稳定。
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,特别是负载和电源匹配情况。
    3. 问题:开关过程中的波动较大。
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,减少输入电容的影响。

    总结和推荐


    FCA20N60F-VB 是一款高性能、高可靠的 N 沟道超级结 MOSFET,广泛应用于高电压和高性能电源转换应用。其低导通电阻和高开关速度使得它在多个行业中表现出色。对于需要高效率和稳定性的系统,我们强烈推荐使用这款产品。确保合理的电路设计和散热措施将最大化其性能和使用寿命。

FCA20N60F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCA20N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCA20N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCA20N60F-VB FCA20N60F-VB数据手册

FCA20N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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900+ ¥ 11.6941
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型号 价格(含增值税)
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