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LSD04N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=650V;ID =5A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该器件适用于工业机器人、自动化设备和PLC等系统中的功率开关模块,确保设备的稳定运行和高效能量转换。
供应商型号: LSD04N65-VB TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LSD04N65-VB

LSD04N65-VB概述

    LSD04N65 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    LSD04N65是一款来自VBsemi公司的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要功能是用作开关器件,在电源管理、电机驱动和逆变电路等多种电力电子应用中表现出色。这款MOSFET特别适用于高电压场合,如直流到交流转换器、焊接设备及各种电源转换装置。

    2. 技术参数


    LSD04N65的详细技术参数如下:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.95 | Ω |
    | 电荷量 (Qg) | 15 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 3 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 6 | nC |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 5 | A |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 16 | A |
    | 耐压 (EAS) | 120 | mJ |
    | 重复峰值电压 (EAR) | 未给出 | mJ |
    | 最大功耗 (PD) | 205/35/30 | W |
    | 最大体二极管反向恢复时间 (trr) | 180 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):低门极电荷意味着驱动要求简单,易于实现高效的开关操作。
    - 增强型耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐久性,适合在严苛环境下运行。
    - 完全特性化:提供了电容和雪崩电压、电流的全面特性化数据。
    - 符合RoHS标准:材料无铅,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    LSD04N65 MOSFET广泛应用于以下领域:
    - 直流到交流转换器:利用其高耐压能力,在逆变器中作为关键开关组件。
    - 焊接设备:在需要高电流输出和快速响应的应用中表现优异。
    - 电源管理:适用于各类电源转换设备,如开关电源。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意散热管理以避免高温导致的性能下降。
    - 使用较低的栅极驱动电阻(RG),可以减少开关损耗并提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:提供TO-220AB、TO-252和TO-251三种封装形式,便于不同应用场景下的安装。
    - 厂商支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括样品测试、定制服务和故障分析。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:最大耐受电流与预期不符
    - 解决方案:检查电路中的负载情况,确保所选MOSFET的电流能力符合实际需求。同时,确认正确的散热措施以防止过热。
    - 问题:设备运行不稳定
    - 解决方案:调整栅极驱动电阻(RG),优化门极电荷(Qg)管理,确保稳定操作。

    7. 总结和推荐


    综上所述,LSD04N65 MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻、良好的热稳定性等特点,适用于多种电力电子应用。其紧凑的设计、简单的驱动要求和优秀的性价比使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐在电力电子设计中考虑选用此款MOSFET。

LSD04N65-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

LSD04N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LSD04N65-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LSD04N65-VB LSD04N65-VB数据手册

LSD04N65-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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