处理中...

首页  >  产品百科  >  5N95K3-VB TO220

5N95K3-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 5N95K3-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5N95K3-VB TO220

5N95K3-VB TO220概述

    N-Channel 900V Super Junction MOSFET 5N95K3-VB 技术手册解析

    1. 产品简介


    N-Channel 900V Super Junction MOSFET(5N95K3-VB)是针对高功率应用设计的一款电子元器件。它具备高速开关、易于并联及简单的驱动要求等特点。这款MOSFET广泛应用于各种电力转换系统、逆变器和电源管理模块等场景。

    2. 技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 击穿电压 | VDS | - | - | 900 | V |
    | 栅漏电容 | Ciss | - | 3100 | - | pF |
    | 源漏导通电阻 | RDS(on) | - | 1.3 | - | Ω |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 总栅电荷 | Qg | - | - | 200 | nC |
    | 热阻抗 | RthJA | - | - | 40 | °C/W |
    | 反向恢复时间 | trr | - | 50 | 980 | ns |

    3. 产品特点和优势


    该产品具有以下独特功能和优势:
    - 快速开关特性使其适合高频应用。
    - 易于并联的特点有助于实现大电流需求的应用。
    - 低热阻抗设计保证了高效散热。
    - 简单的驱动要求降低了电路复杂度。

    4. 应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各类电力转换系统,如光伏逆变器、电池充电器和电机控制等。对于使用时的建议:
    - 在高频应用中确保合理的散热措施。
    - 使用适当的栅极驱动电路以减少干扰。
    - 考虑并联使用以满足大电流需求。

    5. 兼容性和支持


    制造商提供相关的技术支持和服务,包括详细的安装指南和故障排除文档。产品与市面上主流的驱动器和其他组件兼容,可以方便地集成到现有的系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅源电压超过最大值
    解决方法:确保驱动电路正确设置,避免过电压。
    - 问题:在高频应用中出现不稳定
    解决方法:优化PCB布局以降低寄生电感,确保有效的接地平面。
    - 问题:热稳定性不佳
    解决方法:使用更大面积的散热片,或者选择具有更高热导率的散热材料。

    7. 总结和推荐


    综上所述,5N95K3-VB是一款高性能、多功能的N-Channel 900V Super Junction MOSFET,适用于需要高速开关、大电流和良好散热性能的场合。其出色的特性使其在市场上具备较强的竞争力,强烈推荐在电力转换系统和逆变器等应用中使用。
    本文对N-Channel 900V Super Junction MOSFET(5N95K3-VB)的技术手册进行了详细解析,希望能为读者在选择和使用该产品时提供有价值的参考。

5N95K3-VB TO220参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

5N95K3-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5N95K3-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5N95K3-VB TO220 5N95K3-VB TO220数据手册

5N95K3-VB TO220封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336