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FQP27N25-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=250V;ID =50A;RDS(ON)=41mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;MOSFET适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用,包括电源模块、电机驱动模块和工业电子模块等领域。
供应商型号: FQP27N25-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP27N25-VB

FQP27N25-VB概述

    FQP27N25 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQP27N25 是一款由台湾VBsemi公司生产的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高效率电源转换及电机驱动等领域。它的特点是低栅极电荷、快速开关性能以及优异的散热设计。本产品广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和其他需要高效能功率处理的应用场景。

    技术参数


    以下是FQP27N25的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 250 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 连续漏电流 | ID | - | 50 | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 172 | A |
    | 阻断电压温度系数 | ΔVDS/TJ | - | 0.29 | - | V/°C |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 开启电阻 | RDS(on) | - | 0.041 | - | Ω |
    | 体二极管电流 | IS | - | 20 | - | A |
    | 转换增益 | gfs | - | 6.7 | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 430 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 130 | - | pF |

    产品特点和优势


    FQP27N25具有以下独特功能和优势:
    - 低栅极电荷:降低驱动功耗,提高系统效率。
    - 快速开关性能:减少开关损耗,提高频率响应。
    - 高耐热性能:最高可承受150°C的工作温度。
    - 低阻断电压:250V的漏源电压适合多种应用场合。
    - 卤素无污染:符合IEC 61249-2-21标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:用于电源适配器、UPS系统等。
    - 电机控制:驱动直流和交流电机,实现高效的功率转换。
    - DC-DC转换器:为各种设备提供稳定可靠的电源输出。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保良好的散热设计。
    - 尽量选择较低的栅极电阻以提高开关速度。
    - 对于高频应用,注意控制寄生电感的影响,避免高频噪声干扰。

    兼容性和支持


    FQP27N25支持表面贴装和低轮廓通孔安装,适用于各类电路板设计。台湾VBsemi公司为用户提供全面的技术支持和服务,包括产品选型指导、安装使用培训和技术问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高工作温度下,MOSFET过热。
    解决方案:增加散热片或者风扇来增强散热效果。
    - 问题:开关过程中,噪音较大。
    解决方案:降低栅极电阻值,加快开关速度;采用EMI滤波器减少电磁干扰。
    - 问题:驱动信号不稳定导致误触发。
    解决方案:确保栅极驱动电路稳定,加装滤波电容并保持接地良好。

    总结和推荐


    综上所述,FQP27N25是一款优秀的功率MOSFET,具有出色的性能和广泛应用前景。特别是在高频和高功率应用场景中表现尤为突出。鉴于其优异的设计和可靠的支持,我们强烈推荐使用这款产品。如需更多技术支持或详细资料,请联系台湾VBsemi的服务热线:400-655-8788。
    通过本文档的详细介绍,希望用户能够更好地了解FQP27N25的技术细节和使用方法,从而在各自的项目中充分利用其优越性能。

FQP27N25-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 41mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP27N25-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP27N25-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP27N25-VB FQP27N25-VB数据手册

FQP27N25-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.8669
100+ ¥ 9.1361
500+ ¥ 8.4052
1000+ ¥ 8.0397
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