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IXFR24N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =15A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于高功率电力电子变换器,例如工业变频器、交流电机驱动器等,提供可靠的功率开关功能。
供应商型号: IXFR24N80P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR24N80P-VB

IXFR24N80P-VB概述

    IXFR24N80P-VB N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFR24N80P-VB 是一款高性能的N沟道800V超级结功率MOSFET,具有低通态电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),适用于多种高压电源转换应用。其主要功能包括低导通损耗和开关损耗,广泛应用于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 800 V
    - 通态电阻 (RDS(on)): 0.38 Ω(在25°C时)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 96 nC
    - 最大输出电容 (Coss): 8 pF
    - 最大栅源电容 (Ciss): 172 pF
    - 最大栅极-漏极电容 (Crss): 4 pF
    - 最大栅源电荷 (Qgs): 11 nC
    - 最大栅极-漏极电荷 (Qgd): 21 nC
    - 连续漏电流 (ID): 15 A(在25°C时), 12 A(在100°C时)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 297 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 208 W
    - 最大工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大漏源电压上升率 (dV/dt): 37 V/ns

    产品特点和优势


    - 低通态电阻 (RDS(on)): 降低导通损耗,提高能效。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少开关损耗,提升开关速度。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少驱动电路的需求,节省成本。
    - 雪崩耐受能力: 在高压环境下仍能稳定工作,增强可靠性。
    - 高温度稳定性: 在极端温度下保持性能稳定。

    应用案例和使用建议


    IXFR24N80P-VB 主要用于高效率的电源转换系统,如服务器和电信电源。对于这类应用,建议在设计时充分考虑散热管理,以确保长期稳定运行。例如,在服务器电源设计中,可以采用多级散热系统来分散热负载,确保MOSFET不会过热。
    在实际应用中,为避免栅极振荡,建议使用合适的栅极电阻(Rg)。根据技术手册中的数据,推荐的栅极电阻值为9.1 Ω,可以有效控制开关过程中的振荡现象,提高系统的稳定性。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-247AC封装,可轻松与其他标准封装的电子元器件兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。客户可以通过官方网站上的技术支持页面获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常高温。
    - 解决办法: 检查散热系统是否正常工作,增加散热片面积或使用风扇辅助散热。
    - 问题2: 无法实现预期的开关速度。
    - 解决办法: 检查栅极电阻是否合适,调整为推荐的9.1 Ω,以减少栅极振荡。

    总结和推荐


    IXFR24N80P-VB 在高性能电源转换应用中表现出色,具有低导通损耗和低开关损耗的特点。它特别适合高效率、高可靠性要求的应用场合,如服务器电源和电信电源。经过全面的技术评估,我们强烈推荐使用此款MOSFET,特别是对于需要高压、高频率工作的系统。

IXFR24N80P-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 15A
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR24N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR24N80P-VB数据手册

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IXFR24N80P-VB封装设计

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