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IPB70P04P4-09-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;P沟道;VDS=-40V;ID =-110A;RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.28mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;可用于控制高压电源的输出和稳定性。其高耐压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高压和高温,例如用于激光切割机中的高压电源模块。
供应商型号: IPB70P04P4-09-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB70P04P4-09-VB

IPB70P04P4-09-VB概述

    IPB70P04P4-09-VB P-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB70P04P4-09-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道40V MOSFET,采用了先进的TrenchFET®技术。它广泛应用于各种电源管理和驱动控制电路中,如开关电源、直流电机驱动及LED背光驱动等。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):40V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏电流(TJ = 175 °C):-110A
    - 脉冲漏电流:240A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):281mJ
    - 最大功率耗散(TJ = 25 °C):375W
    - 工作结温和存储温度范围:-55至175°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):-40V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-2至-4V
    - 开态漏电流(ID(on)):-120A
    - 开态漏源电阻(rDS(on)):0.0041Ω(VGS = -10V时)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):11300pF
    - 输出电容(Coss):1510pF
    - 反向转移电容(Crss):1000pF
    - 总栅极电荷(Qg):185nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):48nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):42nC
    - 门极电阻(Rg):4.0Ω
    - 开启延迟时间(ton):25ns
    - 关闭延迟时间(toff):110ns

    产品特点和优势


    IPB70P04P4-09-VB 采用TrenchFET®技术,具有极低的导通电阻(rDS(on) = 0.0041Ω),这使其在高效率的应用中表现出色。其耐受的高雪崩能量和大脉冲电流能力使得它能够承受瞬态冲击,提高系统的可靠性。此外,低热阻(RthJA ≤ 10°C/W)意味着更好的散热性能,确保器件长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于多种应用,如电源管理、驱动控制和通信设备。例如,在开关电源设计中,它可以用于高频率切换,提供快速响应和低损耗。在LED背光驱动中,其低导通电阻可以减少发热,延长灯具寿命。对于用户来说,合理的布局和散热措施可以进一步提升性能。具体建议包括:采用大面积铜箔进行散热,避免长时间过载操作以保持可靠性。

    兼容性和支持


    IPB70P04P4-09-VB 采用D2PAK封装(TO-263),这种封装易于焊接和组装。此外,VBsemi提供了详尽的技术支持,包括应用指南和技术文档,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下,功率耗散过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热条件,使用大面积铜箔或散热片。
    2. 问题: 开关过程中出现振荡现象。
    - 解决方案: 添加适当的缓冲电路或减小门极电阻,以改善开关特性。
    3. 问题: 开启延迟时间过长。
    - 解决方案: 确认输入电容和门极电阻的设置,必要时增加驱动电流。

    总结和推荐


    总体而言,IPB70P04P4-09-VB 是一款高性能、高可靠性的P沟道40V MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻和出色的热稳定性使其成为电源管理和驱动控制领域的理想选择。强烈推荐在需要高效、可靠和快速响应的电路中使用此产品。

IPB70P04P4-09-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Id-连续漏极电流 110A
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB70P04P4-09-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB70P04P4-09-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB70P04P4-09-VB IPB70P04P4-09-VB数据手册

IPB70P04P4-09-VB封装设计

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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
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