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20N50G-T3P-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO3P;N沟道;VDS=600V;ID =20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于LED照明产品中的控制器模块,提供LED灯珠所需的电力输出。
供应商型号: 20N50G-T3P-T-VB TO-3PF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N50G-T3P-T-VB

20N50G-T3P-T-VB概述

    # 产品概述与技术手册

    产品简介


    20N50G-T3P-T-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的600V N-Channel Super Junction MOSFET(超结功率场效应管)。它主要用于各类电源转换和驱动应用中,尤其适用于高能效需求的应用场合,如电信、工业设备、消费电子和可再生能源系统。
    主要功能
    - 降低开关损耗
    - 高能效和低功耗
    - 适用于多种负载驱动
    应用领域
    - 电信:服务器和通信电源
    - 照明:高强度放电灯(HID)和荧光灯
    - 消费电子和计算:ATX电源
    - 工业:焊接、电池充电器
    - 可再生能源:太阳能逆变器
    - 开关模式电源(SMPS)

    技术参数


    以下是关于20N50G-T3P-T-VB的一些关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 VDS | 600 | V |
    | 最大连续漏电流 ID | 25 | A |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 53 | A |
    | 最大耗散功率 PD | 208 | W |
    | 最大结温 TJ | 150 | °C |
    | 最大栅源电压 VGS | ± 30 | V |
    | 有效输出电容 Co(er) | 84 | pF |
    | 有效输出时间相关电容 Co(tr)| 293 | pF |
    | 总栅极电荷 Qg | 71 | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 降低trr, Qrr和IRRM:这些参数的减少显著降低了反向恢复时间和恢复损耗。
    - 低功耗:低输入电容(Ciss)和低开关损耗使得整体功耗得以降低。
    - 高效能:极低的门级电荷(Qg)和优化的热阻抗提高了效率。
    市场竞争力
    - 高可靠性:耐高温和高压,适用于恶劣环境。
    - 广泛适用性:在多种应用场合下的优异表现使其具有较强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源供应:在高功率要求的环境中稳定工作,提供高能效和稳定性。
    - 荧光灯控制器:利用其高能效和低损耗的特点来提高系统的可靠性和效率。
    使用建议
    - 在使用过程中注意散热设计,确保良好的热管理。
    - 尽量减小引线长度以减少寄生电感的影响。
    - 使用合适的栅极驱动电路以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准电子元器件和设备具有良好的兼容性,可在大多数电源转换和控制电路中使用。
    - 支持和服务:制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线技术论坛和客户服务中心。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 如何确保正确的栅极驱动电压?
    - 确保驱动电压在安全范围内,通常为±10V左右。
    2. 怎样处理过高的温度问题?
    - 实施有效的散热措施,例如添加散热片或风扇。
    3. 如何避免开关过程中的振铃现象?
    - 通过适当选择电感和电容值来优化电路设计,减少振铃效应。

    总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点:低开关损耗、高效能和高可靠性是这款产品的主要优点。
    - 推荐使用:由于其出色的性能和广泛应用前景,我们强烈推荐使用20N50G-T3P-T-VB在各种高能效需求的应用场合。
    总之,这款MOSFET以其优秀的性能和广泛的适用性,非常适合于高能效要求的现代电力电子系统,是您理想的解决方案。

20N50G-T3P-T-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 40.1mm*15.7mm*4.9mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

20N50G-T3P-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N50G-T3P-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N50G-T3P-T-VB 20N50G-T3P-T-VB数据手册

20N50G-T3P-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 13.2888
500+ ¥ 12.2257
900+ ¥ 11.6941
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