处理中...

首页  >  产品百科  >  IPW60R160C6-VB

IPW60R160C6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。生产的高性能单极性N型功率半导体器件,具有优异的高压和高功率特性。其采用SJ_Multi-EPI技术,配备TO247封装,适用于各种电力控制和转换应用。该产品具有可靠性高、性能稳定等优点,广泛应用于工业、能源等领域。TO247;N沟道,650V;47A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: IPW60R160C6-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPW60R160C6-VB

IPW60R160C6-VB概述

    产品概述

    产品简介


    IPW60R160C6-VB是一款由VBsemi公司生产的超结功率MOSFET,专为各种高压电力应用设计。它属于N沟道类型的MOSFET,能够承受最高700伏的漏源电压(VDS),并具有出色的开关特性和导通特性。这款器件广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、高强度放电(HID)照明、荧光灯镇流器照明等领域。此外,它还适用于工业领域中的焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器以及可再生能源系统中的光伏逆变器等应用。

    技术参数


    以下是IPW60R160C6-VB的主要技术参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):最大值为700V。
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.06Ω,当栅极电压为10V时。
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为273nC。
    - 栅源电荷(Qgs):典型值为46nC。
    - 栅漏电荷(Qgd):典型值为79nC。
    - 最大连续漏极电流(ID):在10V栅源电压(VGS)下,25°C时为47A,100°C时为30A。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为1410mJ。
    - 最大功耗(PD):为415W。
    - 最高存储温度(Tstg):-55至+150°C。
    - 门限电压(VGS(th)):典型值为2至4V。

    产品特点和优势


    IPW60R160C6-VB具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低门槛电压:提供2到4V的门限电压,使其易于驱动。
    - 低栅源电容(Ciss):仅5682pF,这有助于减少栅极驱动损耗。
    - 极低的总栅极电荷(Qg):最大值仅为273nC,这对于提高开关效率非常重要。
    - 低导通电阻:在10V的栅源电压下,其RDS(on)仅为0.06Ω,这有助于降低功耗和提高效率。
    - 增强的开关性能:通过极低的栅源电荷和栅漏电荷,可以实现更快的开关速度。
    - 高可靠性:通过雪崩耐受能力高达1410mJ,确保在恶劣环境下可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:由于其高可靠性、低损耗和高效率,该器件非常适合于这些要求严苛的应用环境。
    - 开关模式电源(SMPS):IPW60R160C6-VB能够提供快速的开关性能和低导通电阻,从而提高转换效率。
    - 工业领域:在焊接、感应加热、电机驱动等工业应用中,其高可靠性确保了系统的稳定运行。
    使用建议:
    1. 在安装过程中,应注意热管理,确保良好的散热以避免过热。
    2. 在选择驱动电路时,应考虑其驱动电流和电压范围,确保符合器件的要求。
    3. 在实际应用中,定期监测和维护以确保器件的长期稳定运行。

    兼容性和支持


    IPW60R160C6-VB采用TO-247AC封装,便于安装和集成。该器件支持标准的电路布局和驱动电路,与大多数现有的电路板设计兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持和服务,包括应用指南、设计参考和客户支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热
    解决方法:确保良好的散热措施,例如使用散热片和散热风扇。
    - 问题2:栅极驱动不稳定
    解决方法:检查栅极驱动电路的连接和稳定性,确保足够的驱动电流和电压。
    - 问题3:性能下降
    解决方法:检查器件的工作条件,如温度和电压范围,确保在额定参数内使用。

    总结和推荐


    总体来说,IPW60R160C6-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道超结功率MOSFET,特别适合于需要高效率和高可靠性的电力应用。它具有出色的开关特性和导通特性,能够在多种应用中表现出色。我们强烈推荐该器件用于对性能和可靠性有高要求的设计项目中。

IPW60R160C6-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 47A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ(mΩ)
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPW60R160C6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPW60R160C6-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPW60R160C6-VB IPW60R160C6-VB数据手册

IPW60R160C6-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 17.9399
100+ ¥ 16.611
500+ ¥ 15.2821
900+ ¥ 14.6177
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 89.69
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504