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VBE19R02S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=900V;ID =2A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器中的功率开关,用于将太阳能光伏板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。
供应商型号: VBE19R02S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE19R02S

VBE19R02S概述

    VBE19R02S N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBE19R02S 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换、电机控制和开关模式电源等领域。该产品具有优异的动态开关特性、快速恢复能力和简易的驱动要求,使其成为高效率电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):900V
    - 连续漏极电流(ID):100A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):8.0A
    - 门极-源极电压(VGS):±20V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):≤100μA
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V 时,≤2.0Ω
    - 栅极电荷(Qg):最大值为200nC
    - 最大功耗(PD):120W
    - 热阻(RthJA):最大值为40°C/W
    - 雪崩能量(EAS):470mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):4.8A
    - 重复雪崩能量(EAR):19mJ

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 速率:VBE19R02S 具备高动态 dv/dt 速率,可有效减少开关过程中的损耗。
    - 重复雪崩评级:能够承受高能量的瞬态浪涌,提高了可靠性。
    - 隔离中央安装孔:方便安装和散热。
    - 快速开关:响应速度快,适用于高频电路。
    - 简单驱动需求:只需简单的驱动电路即可实现高效的开关操作。
    - 符合 RoHS 指令:无铅制造,环保且符合欧盟标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器:VBE19R02S 可用于高效率的电源转换器设计,通过减少开关损耗提高整体效率。
    - 电机控制器:其高耐压和快速开关特性使得它适合用于电机控制器中,提升系统的动态响应性能。
    - 开关模式电源:利用其快速开关特性,可以设计出更紧凑且高效的开关模式电源。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑降低寄生电感以进一步优化性能。
    - 确保良好的接地平面设计,以减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    VBE19R02S 与其他常见的 MOSFET 驱动器兼容,如常见的专用驱动芯片。厂家提供全面的技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高频开关应用中出现过热现象。
    解决方案:增加外部散热片或改进散热设计,以降低工作温度。
    - 问题:驱动信号不稳定。
    解决方案:检查驱动电路设计,确保驱动信号稳定,避免电源电压波动引起的干扰。
    - 问题:输出电流不稳。
    解决方案:检查负载情况和连接线缆,确保电路连接良好,负载匹配合理。

    7. 总结和推荐


    VBE19R02S N-Channel 超级结功率 MOSFET 是一款高性价比的产品,具备卓越的性能和稳定性,特别适用于电源转换和电机控制等应用。其优越的开关特性和简便的驱动需求使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效率电力转换的应用中使用 VBE19R02S。
    以上内容根据 VBE19R02S 的技术手册进行了详细解析和总结,希望能为您提供有价值的参考。

VBE19R02S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
配置 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE19R02S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE19R02S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE19R02S VBE19R02S数据手册

VBE19R02S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
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