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UPA1793G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOP8;N+P沟道;VDS=±20V;ID =15/-8.5A;RDS(ON)=6/16mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=10/20mΩ@VGS=2.5V;VGS=±12V;Vth=1.0/-1.2V;双通道结构使其适用于电机控制器中的功率开关模块,可用于电机的启停控制和速度调节。
供应商型号: UPA1793G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1793G-VB

UPA1793G-VB概述

    # UPA1793G N- and P-Channel 20-V MOSFETs 技术手册

    产品简介


    UPA1793G 是一款高性能的 N- 和 P-沟道 20-V MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件采用 TrenchFET® 技术制造,广泛应用于负载开关和直流/直流转换器等领域。它具有高可靠性和良好的热稳定性,适用于各种电子设备。

    技术参数


    基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 最大连续漏电流 (TJ=150°C):
    - N-Channel: 15A (TC=25°C), 12A (TC=70°C)
    - P-Channel: -8.5A (TC=25°C), -6.8A (TC=70°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 30A
    - 最大功率耗散 (TC=25°C):
    - N-Channel: 3.1W
    - P-Channel: 3.2W
    - 热阻率 (RthJA):
    - N-Channel: 85°C/W (Typ.), 110°C/W (Max.)
    - P-Channel: 81°C/W (Typ.), 105°C/W (Max.)
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):
    - N-Channel: 20V
    - P-Channel: -20V
    - 阈值电压温度系数 (ΔVGS(th)/TJ):
    - N-Channel: -3.5 mV/°C
    - P-Channel: 3.5 mV/°C
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):
    - N-Channel: 1μA (TJ=55°C)
    - P-Channel: -1μA (TJ=55°C)
    动态参数
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - N-Channel: 0.006Ω (VGS=4.5V, ID=5.7A), 0.010Ω (VGS=2.5V, ID=4.4A)
    - P-Channel: 0.016Ω (VGS=-4.5V, ID=-5.1A), 0.020Ω (VGS=-2.5V, ID=-4.2A)
    - 栅电荷 (Qg):
    - N-Channel: 23 nC (VGS=10V, ID=5.7A)
    - P-Channel: 44 nC (VGS=-10V, ID=-5.1A)

    产品特点和优势


    UPA1793G 的主要特点和优势如下:
    1. 卤素无添加:符合环保标准,避免对环境造成污染。
    2. TrenchFET® 技术:确保了低导通电阻和高速开关性能。
    3. 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C,适用于极端环境条件。
    4. 良好的散热性能:高可靠性且稳定的热阻率,确保长时间工作的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于电源管理,提供可靠的开关控制。
    - 直流/直流转换器:提高效率并减少损耗。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热问题,特别是在高功耗情况下,建议使用外部散热片以保持良好的热稳定性和延长使用寿命。
    - 根据具体应用选择合适的驱动电路,以实现最佳的性能。

    兼容性和支持


    UPA1793G 支持标准 SO-8 封装,易于与其他电子元件集成。制造商提供详细的技术文档和客户服务支持,包括在线技术支持和产品咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 器件过热:可能是因为散热不良导致。
    2. 启动延迟时间长:可能是驱动电路配置不当。
    解决方案
    1. 确保良好的散热措施:使用散热片或散热器,改善热传导路径。
    2. 优化驱动电路配置:调整驱动信号的强度和频率,确保适当的栅极充电和放电。

    总结和推荐


    综上所述,UPA1793G 是一款高性能、高可靠性的 N- 和 P-沟道 MOSFET,特别适合在负载开关和直流/直流转换器等应用中使用。它的优良特性和广泛的应用范围使其在市场上具备很强的竞争优势。因此,强烈推荐在相关项目中使用该产品。
    如需了解更多详细信息或技术支持,请联系台湾 VBsemi 电子产品售后服务热线:400-655-8788。

UPA1793G-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 N+P沟道
通道数量 2
Id-连续漏极电流 15A,8.5A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 ±20V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.0/-1.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.2mm
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1793G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1793G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1793G-VB UPA1793G-VB数据手册

UPA1793G-VB封装设计

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