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HM20N60A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=650V;ID =15A;RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。
供应商型号: HM20N60A-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM20N60A-VB

HM20N60A-VB概述


    产品简介


    HM20N60A-VB
    HM20N60A-VB 是一款 N 沟道超级结功率 MOSFET,具有高电压耐受能力(D-S 极间电压可达 650V)。这款器件被广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯)等领域。此外,在工业领域,诸如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源(如太阳能光伏逆变器)等场合也有广泛应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 参数值 |

    | 最大漏源电压(VDS) | 650V |
    | 最小栅极阈值电压(VGS(th))| 2V |
    | 典型导通电阻(RDS(on)) | 0.23Ω @ 10V栅压 |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 15A @ 25°C,10A @ 100°C |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 286mJ |
    | 热阻抗(RthJA) | 62°C/W |
    | 总栅极电荷(Qg) | 24nC |

    产品特点和优势


    1. 低图数质量:Ron x Qg值低,意味着导通电阻与栅极电荷乘积较小,这有助于降低开关和导通损耗。
    2. 低输入电容:Ciss低,输入电容较低,减少了寄生效应的影响,从而提高了效率。
    3. 超低栅极电荷:Qg值极低,进一步降低了开关损耗。
    4. 重复雪崩能量评级:支持高达 286mJ 的单脉冲雪崩能量,保证了可靠性。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源:适合用于需要高可靠性的环境,例如数据中心。
    2. SMPS 和 PFC:在高功率转换应用中,可以实现更高的效率和更稳定的输出。
    3. 照明:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯等应用,提升能效。
    4. 工业应用:如焊接、感应加热、电机驱动等,可以显著提高能效和可靠性。
    使用建议:在设计电路时,需确保电源和散热系统的匹配,以避免热失控问题。建议使用适当的散热片,并通过电路设计优化减少寄生电容。

    兼容性和支持


    HM20N60A-VB 可以与其他常见的 N 沟道 MOSFET 兼容,方便替换现有设计。VBsemi 提供了详细的技术支持,包括数据表和应用指南,帮助客户解决可能遇到的问题。此外,VBsemi 还提供了在线技术支持和培训课程。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免热失控?
    - 确保良好的散热设计,使用适当的散热片,并遵循制造商推荐的热阻抗参数。
    2. 如何测试栅极电荷?
    - 使用专用的测试电路,根据制造商提供的规范进行测量。
    3. 栅极过压保护如何设置?
    - 使用合适的栅极电阻(例如 Rg = 9.1Ω),并考虑增加栅极钳位二极管。

    总结和推荐


    HM20N60A-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,具备多种优势。它在各种应用中表现出色,尤其适合高功率转换和高效能要求的应用场景。对于追求高效能和高可靠性的用户来说,强烈推荐使用此产品。

HM20N60A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 15A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM20N60A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM20N60A-VB数据手册

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HM20N60A-VB封装设计

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