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K1338-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。\nTO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K1338-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1338-VB

K1338-VB概述

    K1338-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1338-VB 是一款 N-Channel 900V(D-S)超级结功率 MOSFET。它具有动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值、隔离中央安装孔、快速开关、易于并联、简单的驱动要求和符合 RoHS 指令 2002/95/EC 等特点。该产品适用于各种电力转换和控制应用,如逆变器、电机驱动和电源管理。

    技术参数


    - 基本特性
    - 动态 dv/dt 额定值
    - 重复雪崩额定值
    - 隔离中央安装孔
    - 快速开关
    - 易于并联
    - 简单的驱动要求
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 900 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TC = 25 °C \)时,\( V{GS} = 10 V \)): 5 A
    - 连续漏极电流 \( ID \)(\( TC = 100 °C \)时): 3.9 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 770 mJ
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \): 7.8 A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 19 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \)(\( TC = 25 °C \)时): 190 W
    - 峰值二极管恢复 \( dV/dt \): 2.0 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    - 焊接推荐(峰值温度):10 秒 300°C(距离管壳 1.6 mm)
    - 电气特性
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \): \( V{GS} = 0 V \),\( ID = 250 \mu A \) 时为 900 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): \( V{DS} = V{GS} \),\( ID = 250 \mu A \) 时为 2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \)(\( V{DS} = 800 V \)): \( V{GS} = 0 V \) 时为 100 μA
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10 V \)): 1.3 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): \( V{GS} = 0 V \),\( V{DS} = 25 V \),\( f = 1.0 MHz \) 时为 3100 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 800 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 490 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 200 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 24 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 110 nC

    产品特点和优势


    K1338-VB 的独特功能和优势包括:
    - 动态 dv/dt 额定值:适用于高速开关应用。
    - 重复雪崩额定值:确保高可靠性。
    - 隔离中央安装孔:便于散热和安装。
    - 快速开关:减少损耗。
    - 易于并联:便于多个器件并联使用。
    - 简单的驱动要求:降低系统复杂度。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保合规。

    应用案例和使用建议


    K1338-VB 广泛应用于电力转换和控制领域,如逆变器、电机驱动和电源管理。具体应用场景包括:
    - 逆变器:用于光伏逆变器和工业逆变器,提高转换效率。
    - 电机驱动:用于工业自动化中的电机驱动,提供稳定可靠的控制。
    - 电源管理:用于电信设备和计算机电源模块,提高电源系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保电路布局低杂散电感,以减小电磁干扰。
    - 使用热沉(heatsink)来改善散热效果,确保 MOSFET 在高功率应用下的可靠运行。

    兼容性和支持


    K1338-VB 与其他电子元器件和设备兼容,可以广泛应用于各种工业控制系统和电力设备。厂商提供技术支持和服务,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决办法:根据 MOSFET 的驱动要求和系统的工作频率选择合适的栅极电阻,通常推荐的栅极电阻值为 25 Ω。
    2. 问题:如何防止过热损坏?
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如使用热沉和优化 PCB 布局,避免 MOSFET 过热。

    总结和推荐


    K1338-VB 是一款高性能的 N-Channel 900V 功率 MOSFET,具备动态 dv/dt 额定值、重复雪崩额定值等优点,适合应用于各种电力转换和控制领域。其易于并联和简单驱动的特点使其在工业自动化和电源管理中表现出色。综上所述,强烈推荐使用 K1338-VB 来提高系统的可靠性和效率。

K1338-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1338-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1338-VB数据手册

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K1338-VB封装设计

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