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2SK3461L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=60V;ID =210A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;可以用于音频功率放大器,减少功率损耗,改善音频信号的质量。
供应商型号: 2SK3461L-VB TO262F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3461L-VB

2SK3461L-VB概述


    产品简介


    2SK3461L-VB是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高温度和高电流的应用环境。该产品具有175°C的结温耐受能力,采用TrenchFET®技术,确保了高效的电流传导能力和低导通电阻(RDS(on))。这款MOSFET主要用于电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域,能够满足严苛的工作环境要求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 1.23 | - | - | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 50 | µA |
    | 开态漏极电流(典型) | ID(on) | - | - | 60 | A |
    | 导通电阻(VGS=10V) | RDS(on) | 0.008| - | 0.010| Ω |
    | 前向转移电导 | gfs | 60 | - | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | 2650 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 470 | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 225 | - | - | pF |
    | 总栅极电荷(典型) | Qg | 47 | - | 70 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | 10 | - | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 12 | - | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 10 | - | 20 | ns |
    | 上升时间 | tr | 15 | - | 25 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 35 | - | 50 | ns |
    | 下降时间 | tf | 20 | - | 30 | ns |

    产品特点和优势


    1. 高温工作能力:结温高达175°C,使其适用于极端环境下的工作需求。
    2. 高可靠性:采用TrenchFET®技术,保证长期可靠运行。
    3. 低导通电阻:导通电阻在不同条件下的典型值为0.008Ω至0.010Ω,有助于降低功耗。
    4. 高动态响应:快速的开启和关闭时间,提高了系统效率。
    5. 卓越的热性能:具有较低的热阻,能有效散热,提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电机驱动电路中的高速开关;
    - 作为高功率电源转换器中的高效开关组件;
    - 在汽车电子控制系统中实现精准控制。
    使用建议:
    - 在高电流应用中应注意散热设计,以避免过热导致的性能下降;
    - 考虑到动态特性的要求,在电路设计时应合理选择外部栅极电阻(如Rg=2.5Ω),以优化开关时间和电流响应。

    兼容性和支持


    - 该产品可兼容各种表面贴装技术(SMT)工艺,且支持广泛的温度范围,适用性广。
    - 厂商提供全面的技术支持和咨询服务,包括详细的安装指南和常见问题解答文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足,影响性能 | 加强散热措施,如增加散热片或采用高效散热材料;|
    | 开关频率过高,导致器件损坏 | 调整开关频率,避免超过器件的最大额定值; |
    | 电路中出现瞬态尖峰电压 | 使用钳位电路或其他保护措施来抑制瞬态尖峰。 |

    总结和推荐


    总体而言,2SK3461L-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合需要高温环境工作的应用场合。其优异的导通电阻、高可靠性及快速的动态响应使得其在多种复杂环境中表现出色。此外,厂商提供的全面支持和文档也增强了其适用性和易用性。因此,强烈推荐在需要高效率和高可靠性开关的电路中使用此产品。

2SK3461L-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 210A
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262F
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3461L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3461L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3461L-VB 2SK3461L-VB数据手册

2SK3461L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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